镀膜工艺对钛膜组织结构的影响的研究-Ⅰ.pdfVIP

镀膜工艺对钛膜组织结构的影响研究一I+ 周晓松‘刘锦华王海峰刘琼 (中国I：榉物理研究院核物理与化学研究所四川绵li 621900) Ti膜的组织结构会对其充氚过程、氚化物的性质以及薄膜中的3He行为造成影响。 因此，开展镀膜工艺过程对钛膜显微组织结构的影响研究具有非常重要的意义。 本研究工作采用XRD、SEM对电阻镀膜工艺和电子枪镀膜工艺制各的Ti膜的晶体 结构、显微组织结构、织构和表面形貌进行了对比分析。重点针对电阻镀膜工艺，探索 研究了底衬取向、底衬粗{蘸度和底衬温度等参数对其制蔷薄膜的结构、形貌和织构的影 响。 结果表明，电阻镀膜工艺和电子枪镀膜工艺制备的T幞的择优取向(即织构)、晶 粒尺度、晶粒类型均不一样。电子枪制各 的样品主要是出现(100)和(110)的取 向，且(110)取向尤为强烈：其晶粒呈六 棱柱薄片侧倾排列取向(图”．尺寸较小， 在11001、[002]方向的晶粒度分别约为300 nm和248 nm。电阻制各的主要是出现 (100)、(002)和(103)的取向：其晶 瞄l电子枪制籍n膜SEM图像 粒呈现不规则排列的块状，尺寸较大，在 【ioo]、[002]方向的晶粒度分别约为417rim和701rim。 结合静态贮存和动态考核实验表明，电阻镀膜工艺制备的薄膜的固氦能力较好，静 态贮存的3Hc加速释放阈值F限不低于0 为025；而电子枪镀膜工艺制各氚化钛薄膜的静态贮存3He$fl速释放闽值下限却只有 020，动态考核的3He加速释放闽值下限为018。因此，有理由认为由于不同制备工艺获 得的Ti膜表面显微组织结构1i同，从而对其3He释放有明显的影响，具有强烈取向的六 棱柱晶粒不利于同3He和提高氚化物薄膜稳定性。 +作者简介Ⅷ％镕c 1977-1，％，孵}ⅢHt．刨Ⅻ究#!．M事jem学‘-‘：r岂Ⅻn．0816-248525I，E-mall： tom zlxs77回163 68 表1 电阻镀膜工艺参数对钛膜显微组织影响 Ti膜晶粒度(rim) 序 Ti膜取向 显微组织结构 号 【100]方向【002]方向 l 146 600 致密的层片结构，类鱼鳞状 强烈(002)，伴随(102)、(103) 强烈002)，伴随(100)、 不规则块状晶粒，晶粒间镶嵌着小晶 2 840 840 (002)、(1lo)、(103) 粒(30nm-50rim) 3 强烈001) 521 841 致密平整，不规则大晶粒镶嵌结构 4 362 19l 不规则块状晶粒堆积 lo)、(103) (102)、(100)、(1 5 397 382 不规则块状晶粒堆积 (102)、(002)、(103) 电阻镀膜工艺参数(底衬取向、底衬粗糙度和底衬温度)对钛膜显微组织影响的结 果如表l所示。结果表明，底衬取向对Ti膜的取向、晶粒度和显微组织结构有明显影 响，具有(200)取向的底衬制备的Ti膜晶粒度更大，并出现纳米级镶嵌的小晶粒。抛 光底衬(粗糙度5rim)上制备的Ti膜取向更强，晶粒更大且致密，这可能是由于未抛 光底衬的表面凸凹不平，具有大量生长表面、台阶和拐角等特征结构作为薄膜生长的粒 子聚集形核中心，Ti倾向于以岛状方式生长，而抛光底衬有利于T