模拟电子技术 康华光 第3章.pptVIP

硅：0.5 V 锗： 0.1 V (1) 正向特性 导通压降 反向饱和电流 (2) 反向特性 死区 电压 击穿电压UBR 实验曲线 u E i V mA u E i V uA 锗 硅：0.7 V 锗：0.3V 3.3.2 、半导体二极管的V—A特性曲线 二极管交直流电阻 (1) （静态）直流电阻RD (2) （动态）交流电阻rd ? UD ID ? Q1? i u ?i ?u Q2? 二极管两端所加直流电压UD与流过它的直流电流ID之比： rd≈ 室温下 T=300K ≈ ?u/ ?i 二极管在其工作状态(IDQ,UDQ)处的电压微变量与电流微变量之比： 半导体二极管的型号 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2AP9 用数字代表同类器件的不同规格。 代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。 代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge， C为N型Si， D为P型Si。 2代表二极管，3代表三极管。 二极管的主要参数 (1) 最大整流电流IF—— 二极管长期连续工 作时，允许通过二 极管的最大整流 电流的平均值。 (2) 反向击穿电压UBR——— 二极管反向电流 急剧增加时对应的反向 电压值称为反向击穿 电压UBR。 (3) 反向电流IR—— 在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(?A)级。 例： I R 10V E 1kΩ D—非线性器件 i u RLC—线性器件 3.4 二极管基本电路及其分析方法 图解法: UD=VE-IR D U 恒压源模型 U D 二极管的导通压降。硅管 0.7V；锗管 0.3V。 理想二极管模型 正偏 反偏 导通压降 二极管的V—A特性 3.4.1 二极管正向V-I特性的建模 二极管的近似分析计算 I R 10V E 1kΩ I R 10V E 1kΩ 例： 串联电压源模型 测量值 9.32mA 相对误差 理想二极管模型 R I 10V E 1kΩ 相对误差 0.7V 利用二极管的单向导电性，可实现整流、限幅、钳位、检波、保护、开关等。 1.整流电路 整流电路是利用二极管的单向导电作用，将交流电变成直流电的电路。 二极管的应用 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。 2.限幅电路 . 2 限幅电路 V u i ＋ － u o ＋ － R E 2V t u i / V 0 5 -5 t u o / V 0 -5 2.7 V E 2V V1 u i ＋ － u o ＋ － R V2 t u i / V 0 5 -5 t u o / V 0 -1 0.7 －0.7 1 限幅电路是限制输出信号幅度的电路。 2V 2V Ｖｉ＞－２Ｖ D导通： Vo=－２Ｖ Ｖｉ＜－２Ｖ D截止： Ｖｏ＝Ｖｉ Ｖｉ＞２Ｖ　 Ｄ导通： Ｖｏ＝－２Ｖ＋Ｖｉ Ｖｉ＜２Ｖ　 Ｄ截止： Ｖｏ＝０Ｖ Ｖｉ＞－２Ｖ Ｄ导通： Ｖｏ＝Ｖｉ＋２Ｖ Ｖｉ＜－２Ｖ Ｄ截止： Ｖｏ＝０Ｖ VO －２Ｖ Ｖｉ＞－２Ｖ　 Ｄ导通： Ｖｏ＝Ｖｉ Ｖｉ＜－２Ｖ　 Ｄ截止： Ｖｏ＝－２Ｖ －２Ｖ Ｖｉ＞３Ｖ时 Ｄ１通，Ｄ２止　Ｖｏ＝３Ｖ Ｖｉ＜－２Ｖ时 Ｄ１止，Ｄ２通　Ｖｏ＝－２Ｖ －２Ｖ＜Ｖｉ＜３Ｖ时 Ｄ１止，Ｄ２通　Ｖｏ＝Ｖｉ ３Ｖ －２Ｖ VO 钳位电路是使输 出电位钳制在某一数 值上保持不变的电路。 设二极管为理想元件， 当输入UA＝UB＝3V时，二极管V1，V2正偏导通，输出被钳制在UA和UB上，即UF＝3V；当UA＝0V，UB＝3V，则V1导通，输出被钳制在UF＝UA＝0V，V2反偏截止。 3.钳位电路 或称为：二极管电平选择电路 V 1 u 1 ＋ － u o V 2 E R u 2 u 1 / V 3 t t 0 0 u 2 / V 3 t u o / V 3.7 0 0.7 折线模型 VD ID 小信号模型指数模型 VD ID RD * * * * * * * * * * 3.1 半导体的基本知识 3.2 PN结的形成及其特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 第三章 半导体二极管及其基本电路 在物理学中。根据材料的导电能力，可以将他们划分导体、绝缘体和半导体|(Semiconductor) 。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 3.1 半导体的基本知识 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电