变频器原理及其的应用.ppt

《变频器原理与应用（第2版）》第2章 ３. 开关特性 ３. 开关特性 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.4 P-MOSFET的主要参数 1. 漏源击穿电压BUDS 2. 漏极连续电流ID和漏极峰值电流IDM 3. 栅源击穿电压BUGS 4. 开启电压UT 5. 极间电容 6. 通态电阻Ron 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.5 Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的栅极驱动 1）触发脉冲的前后沿要陡峭，触发脉冲的电压幅值要高于器件的开启电压，以保证Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的可靠触发导通。 2）开通时以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电容提供低电阻放电回路，减小栅极电容的充放电时间常数，提高Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的开关速度。 3）Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电流。Ｐ-ＭＯＳＦＥＴ的极间电容越大，所需的驱动电流也越大。为了使开关波形具有足够的上升和下降陡度，驱动电流要具有较大的数值。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.5.6 P-ＭＯＳＦＥＴ的保护 1. 工作保护 栅源过电压的保护 漏源过电压的保护 过电流保护 2. 静电保护 器件应存放在抗静电包装袋、金属容器或导电材料包装袋中，工作人员取用器件时，必须使用腕带良好接地，且应拿器件管壳，不要拿引线； 安装时，工作台和电烙铁应良好接地； 测试时，测量仪器和工作台要良好接地，器件的三个电极必须都接入测试仪器或电路，才能施加电压。改换测试时，电压和电流要先恢复到零。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.6 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.6.1 IGBT的结构 a b c d 图2-24　IGBT结构示意图、电路符号和等效电路 a IGBT模块 b IGBT结构示意图　c 电路符号　d 等效电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.6.2 IGBT的基本特性 1 传输特性 2 输出特性 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.6.3 IGBT的主要参数 1 集电极-发射极额定电压UCES 2 栅极-发射极额定电压UGES 3 额定集电极电流IC， 4 集电极-发射极饱和电压UEC sat 5 开关频率 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.6.4 IGBT的驱动电路 1 驱动电路与IGBT的连线要尽量短。 2 用内阻小的驱动源对栅极电容充放电。 3 驱动电路要能传递几十kHz的脉冲信号。 4 驱动电平+UGE的选择必须综合考虑。 5 在关断过程中，应施加一负偏压UGE。 6 在大电感负载下，IGBT的开关时间不能太短， 以确保IGBT的安全。 7 驱动电路与控制电路在电位上应严格隔离。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.7 集成门极换流晶闸管（IGCT） 2.7.1 IGCT的结构与工作原理 1.结构 a） b） 图2-25　GTO、GCT的结构图 图2-26 IGCT的符号 a）GTO的结构图　b） GCT的结构图 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2. IGCT的工作原理 IGCT的导通原理与GTO完全一样，但关断原理与GTO完全不同，在GCT的关断过程中，GCT能瞬间从导通转到阻断状态，变成一个PNP晶体管以后再关断，所以它不受外加电压变化率du/dt限制；而GTO必须经过一个既非导通又非关断的中间不稳定状态进行转换，所以GTO需要很大的吸收电路来抑制外加电压变化率du/dt。阻断状态下GCT的等效电路可认为是一个基极开路、低增益PNP晶体管与门极电源的串联电路。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.7.2 IGCT的特点 （1）缓冲层 （2）透明阳极 （3）逆导技术 （4）门极驱动技术 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.8 智能功率模块 1PM 2.8.1 IPM的结构 IPM智能功率模块 内部基本结构图 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.8.2 IPM的主要特点 IPM 内含驱动电路，可以按最佳的IGBT驱动条件进行设定；IPM内含过流（OC）保护、短路（SC）保护，使检测功耗小、灵敏、准确；IPM内含欠电压（UV）保护，当控制电源电压小于规定值时进行保护；IPM内含过热（OH）保护，可以防止IGBT和续流二极管过热，在IGBT内部的绝缘基板上设有温度检测元件，结温过高时即输出报警（ALM）信号，该信号送给变频器的单片机，使系统显示故障信息并停止工作。IPM还内含制动电路，用户如有制动要求可另购选件，在外电路规定端子上接制动电阻，即可实现制动。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 2.8.3 IPM选择注意事项 （1）采用光电耦合器 由于IPM驱动电路要求信号