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带有栅场板的AIGaN/GaNHFET沟道电场分布模型
赵子奇,桂进争,徐晓,张梦洁,徐敏
(宁波大学理学院,宁波315211)
摘要:场板结构不但能够提升器件耐压,同时还可以改善器件可靠性与自热效应,此外还具
HFET器件设计中”。j。但是
有工艺简单、易于实现等优点,已经被广泛应用于A1GaN/GaN
场板结构的设计与优化。长期以来只能通过实验进行尝试,缺乏有效的理论模型指导。虽然
Karmalkar等人【舢5j曾报道了带有栅场板器件的沟道电场模型,但其结果是基于对计算机仿真
结果的数值拟合,对于电场分布与器件参数之间的关联关系并没有给出相应物理解释,缺乏
深入理解场板对沟道电场调节机制所需的物理图像。
本文首先分析了场板结构对沟道电场调制作用的物理机制,然后通过求解泊松方程,结
合计算机仿真,建立了带有栅场板A1GaN/GaNHFET的沟道电场分布解析模型。在较宽的
参数范围内,模型计算结果与计算机仿真结果(如图l所示)和实验结果(表1)符合良好
(其中三FP为场板长度,聍。为沟道二维电子气浓度,死为势垒层厚度,死为绝缘介质层厚度,
%为漏极电压。),误差小于10%。结果显示,器件可达到的最大击穿电压(‰一)与//。
成反比,而与绝缘介质的介电常数8i成正比(如图2所示)。减小沟道二维电子气浓度,或
使用高k绝缘介质有助于提升器件耐压能力。最后基于该模犁导出了最大化器件耐压的优化
准则,获得了器件最优参数的解析表达式。本文研究结果为GaN基HFET器件设计与优化
提供了理论依据。
图l不同参数下,沟道电场模型计算与仿真结果对比。
表1用于模型验证的器件结构参数
器件参数 样l【6】 拌2【7】
即s/cm‘ 1x1013 1×1013
Tdnm 2l 20
列nm 120 300
L}p}gm 1 3
上GD/岬 2.5 15
实验结果 200 实验结果 475
击穿电压/V 模型计算 205 模型计算 445
仿真结果 201 仿真结果 438
148
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姜 』
%Oo”cm-2)
图2%.一随行。和si变化曲线
参考文献:
a1.8300V AIGaN/GaN
【l】Y.Uemoto,D.Shibata,M.Yanagihara,etblockingvoltage power
HFETwiththick InternationalElectronDevices
poly-AINpassivation【c】.IEEE Meeting,
2007:861.864.
a1.A1G州,GaN从lGaNDH-HEMTsbreakdown
【2】E.Bahat-Treidel,O.Hilt,F.Brunner,et
enhancement field Transactionon
voltage usingmulti
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