带有栅场板AlGaN%2fGaN+HFET沟道电场分布模型.pdfVIP

带有栅场板的AIGaN／GaNHFET沟道电场分布模型 赵子奇，桂进争，徐晓，张梦洁，徐敏 (宁波大学理学院，宁波315211) 摘要：场板结构不但能够提升器件耐压，同时还可以改善器件可靠性与自热效应，此外还具 HFET器件设计中”。j。但是 有工艺简单、易于实现等优点，已经被广泛应用于A1GaN／GaN 场板结构的设计与优化。长期以来只能通过实验进行尝试，缺乏有效的理论模型指导。虽然 Karmalkar等人【舢5j曾报道了带有栅场板器件的沟道电场模型，但其结果是基于对计算机仿真 结果的数值拟合，对于电场分布与器件参数之间的关联关系并没有给出相应物理解释，缺乏 深入理解场板对沟道电场调节机制所需的物理图像。 本文首先分析了场板结构对沟道电场调制作用的物理机制，然后通过求解泊松方程，结 合计算机仿真，建立了带有栅场板A1GaN／GaNHFET的沟道电场分布解析模型。在较宽的 参数范围内，模型计算结果与计算机仿真结果(如图l所示)和实验结果(表1)符合良好 (其中三FP为场板长度，聍。为沟道二维电子气浓度，死为势垒层厚度，死为绝缘介质层厚度， ％为漏极电压。)，误差小于10％。结果显示，器件可达到的最大击穿电压(‰一)与／／。 成反比，而与绝缘介质的介电常数8i成正比(如图2所示)。减小沟道二维电子气浓度，或 使用高k绝缘介质有助于提升器件耐压能力。最后基于该模犁导出了最大化器件耐压的优化 准则，获得了器件最优参数的解析表达式。本文研究结果为GaN基HFET器件设计与优化 提供了理论依据。 图l不同参数下，沟道电场模型计算与仿真结果对比。 表1用于模型验证的器件结构参数 器件参数 样l【6】 拌2【7】 即s／cm‘ 1x1013 1×1013 Tdnm 2l 20 列nm 120 300 L}p}gm 1 3 上GD／岬 2．5 15 实验结果 200 实验结果 475 击穿电压／V 模型计算 205 模型计算 445 仿真结果 201 仿真结果 438 148 ￡ ￡ 姜 』 ％Oo”cm-2) 图2％．一随行。和si变化曲线 参考文献： a1．8300V AIGaN／GaN 【l】Y．Uemoto，D．Shibata，M．Yanagihara，etblockingvoltage power HFETwiththick InternationalElectronDevices poly-AINpassivation【c】．IEEE Meeting， 2007：861．864． a1．A1G州，GaN从lGaNDH-HEMTsbreakdown 【2】E．Bahat-Treidel，O．Hilt，F．Brunner,et enhancement field Transactionon voltage usingmulti