带有栅场板AlGaN%2fGaN+HFET沟道电场分布模型.pdfVIP

带有栅场板AlGaN%2fGaN+HFET沟道电场分布模型.pdf

  1. 1、本文档共2页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
优秀完美PDF格式,可在线免费浏览全文和下载,支持复制编辑,可为大学生本专业本院系本科专科大专和相关类学生提供毕业论文范文范例指导,也可为要代写发表职称论文提供参考!

带有栅场板的AIGaN/GaNHFET沟道电场分布模型 赵子奇,桂进争,徐晓,张梦洁,徐敏 (宁波大学理学院,宁波315211) 摘要:场板结构不但能够提升器件耐压,同时还可以改善器件可靠性与自热效应,此外还具 HFET器件设计中”。j。但是 有工艺简单、易于实现等优点,已经被广泛应用于A1GaN/GaN 场板结构的设计与优化。长期以来只能通过实验进行尝试,缺乏有效的理论模型指导。虽然 Karmalkar等人【舢5j曾报道了带有栅场板器件的沟道电场模型,但其结果是基于对计算机仿真 结果的数值拟合,对于电场分布与器件参数之间的关联关系并没有给出相应物理解释,缺乏 深入理解场板对沟道电场调节机制所需的物理图像。 本文首先分析了场板结构对沟道电场调制作用的物理机制,然后通过求解泊松方程,结 合计算机仿真,建立了带有栅场板A1GaN/GaNHFET的沟道电场分布解析模型。在较宽的 参数范围内,模型计算结果与计算机仿真结果(如图l所示)和实验结果(表1)符合良好 (其中三FP为场板长度,聍。为沟道二维电子气浓度,死为势垒层厚度,死为绝缘介质层厚度, %为漏极电压。),误差小于10%。结果显示,器件可达到的最大击穿电压(‰一)与//。 成反比,而与绝缘介质的介电常数8i成正比(如图2所示)。减小沟道二维电子气浓度,或 使用高k绝缘介质有助于提升器件耐压能力。最后基于该模犁导出了最大化器件耐压的优化 准则,获得了器件最优参数的解析表达式。本文研究结果为GaN基HFET器件设计与优化 提供了理论依据。 图l不同参数下,沟道电场模型计算与仿真结果对比。 表1用于模型验证的器件结构参数 器件参数 样l【6】 拌2【7】 即s/cm‘ 1x1013 1×1013 Tdnm 2l 20 列nm 120 300 L}p}gm 1 3 上GD/岬 2.5 15 实验结果 200 实验结果 475 击穿电压/V 模型计算 205 模型计算 445 仿真结果 201 仿真结果 438 148 £ £ 姜 』 %Oo”cm-2) 图2%.一随行。和si变化曲线 参考文献: a1.8300V AIGaN/GaN 【l】Y.Uemoto,D.Shibata,M.Yanagihara,etblockingvoltage power HFETwiththick InternationalElectronDevices poly-AINpassivation【c】.IEEE Meeting, 2007:861.864. a1.A1G州,GaN从lGaNDH-HEMTsbreakdown 【2】E.Bahat-Treidel,O.Hilt,F.Brunner,et enhancement field Transactionon voltage usingmulti

文档评论(0)

chqs52 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档