基于SiC+MOSFET驱动及缓冲电路设计与实验与研究.pdfVIP

中国电源学会第二十届学术年会论文集 基于SiC MOSFET的驱动及缓冲电路设计与实验研究 刘永迪，边境，李虹， 刘学超 （北京交通大学电气工程学院，北京 100044 ；CREE 香港有限公司） Email hli@ 摘 要 新一代宽禁带 SiC 半导体开关器件以其在高压、高频、高温等方面的显著优势而得到越来越广 泛的研究和认可，能否根据 SiC 开关器件特性设计出性能良好的驱动电路是 SiC 器件应用的关键。本文针对 SiC MOSFET(CMF10120D) ，结合器件参数对其驱动电路进行了设计，并利用高速驱动芯片IXDI414 搭建了 SiC MOSFET 的驱动实验电路，实验表明在MOSFET 关断瞬间 V 存在较大的电压尖峰和震荡，因此，本文 DS 进一步对 SiC MOSFET 进行了缓冲电路设计，通过加入合适的 RC 缓冲电路，达到了良好的尖峰抑制效果。 最后，针对工作在不同频率下的 SiC MOSFET 对本文设计的驱动电路及缓冲电路进行了实验验证，实验结果 证明本文设计的驱动电路及缓冲电路能很好的实现 SiC MOSFET 的开关控制，这对 SiC MOSFET 的进一步推 广应用奠定了基础。 关键词 SiC MOSFET ，驱动电路，电压尖峰及震荡，RC 缓冲电路 1．引言 随着电力电子技术的高速发展与广阔应用，传统的 Si、GaAs 等半导体器件由于自身结构和特 性的限制，在高压、高频、高功率密度等方面越来越难以满足实际应用的需求。目前，对于电力电 子器件的改进基本都集中在器件的结构上，难以达到理想的效果。近年来第三代宽禁带 SiC, GaN 半导体以其在高频、高压、低损耗方面的独特优势得到了快速的发展和推广，成为了新一代电力电 子器件研究的热门方向[1]-[3] 。 目前，已制备出的 SiC 器件包括 SiC 肖特基二极管(SBD)、SiC 金属-氧化物-半导体场效应晶 体管(MOSFET)、SiC 结型场效应晶体管(JFET)等单极性器件和 SiC PiN 二极管、晶闸管等双极性器 件，而且 SiC SBD、MOSFET 和 JFET 等已经逐步进入包括 DC/DC 、DC/AC 等功率变换的实际应 用当中[7]-[10] 。 然而随着 SiC 功率开关器件的不断推广应用，人们开始注意到由于 SiC 器件在寄生参数及电气 特性等方面的改变，在驱动电路方面也需要不同于传统 Si 器件的设计，如 SiC 功率 JFET 存在由于 器件米勒电容或者信号地与功率地隔离不合适而引起门极高频振荡现象等[11]-[12] 。因此，要使 SiC 功率开关器件充分发挥它的性能优势，首先要根据 SiC 器件特性设计出性能良好的驱动电路。目前 对于 SiC MOSFET 的驱动电路设计可以借鉴 Si IGBT 的驱动电路，但是IGBT 驱动电路在开关速度 等方面有一定局限性。本文基于 CREE 公司的 SiC MOSFET(CMF10120D)进行了驱动电路的设计， 并针对实验中关断瞬间 V 出现的较大电压尖峰和震荡现象，进行了无源RC 缓冲电路的设计，达 DS 到了较好的抑制效果。同时，针对工作在不同频率下的 SiC MOSFET 进行了实验研究，这将为 SiC MOSFET 的进一步推广和应用奠定初步基础。 国家自然科学青年基金项目（资助号），中央高校基本科研业务费项目（资助号：2012JBM096 ） · 88 · 中国电源学会第二十届学术年会论文集 2 ．驱动及缓冲电路设计 表 1 为一组 Si MOSFET 和 CREE 公司 SiC MOSFET 主要参数的对比数据，由表可以看出，SiC MOSFET 在电压、电流等级上有明显的优越性，而且其导通电阻 RDS(on) 和门极电荷 Qg 都得到了很 大的改进，其中第二代 SiC MOSFET 的导通阻抗优势更加显著，这意味着 SiC MOSFET 具有更小 的开关损耗和导通损耗