清华大学微电子封装技术 防静电技术及失效分析.pdfVIP

四、电子元器件ESD灵敏度测试分类的三个模型及有关标准 静电放电灵敏度（ESDS ）是指会导致元器件失效 2 、人体模型（HBM ） 的静电放电电平。 1、三个模型及有关标准 （1）人体是最主要的静电源。 （1）人体模型（HBM ），MIL-STD-883D ， （GJB548A ）方法3015.7 HBM模型主要是模拟人体所带静电对微电子器 EOS/ESD-S5.1-1993 件 （2 ）机器模型（MM ），ESD-S5.2-1996 （3 ）带电器件模型（CDM ）， ESD而可能产生的损伤。 接触式——摩擦起电模型 （2 ）模型的核心是将人体用100pF电容和1.5k Ω 非接触式—— 电场感应模型（FIM ） ESD S5.3-1995 带插座模型 电阻的RC放电回路来模拟。 ESD DS5-3.1-1996 无插座模型 JESD 22-C101 场感应CDM微电子器件耐压测试方式 1 2 （3 ）人体模型（HBM ）的有关标准 标准对电流波形 目前以人体模型来测试静电敏感器件的静电放电 （电能量），引线端连 接方式，放电次数等试 灵敏度（ESDS ）的标准有两种： 验方法都有详细规定。 一是军标，美国是MIL-STD-883D ，方法3015.7 ； 中国是GJB 548A-96A，方法3015A 。 图1 HBM模型中测试器件ESD灵敏度的等效电路 另一个是国际抗静电学会的EOS/ESD-S5.1-1993 。 这是一个较成熟的、最常用的模型。 两者的具体分类标准见表2 。 3 4 表2 HBM模型下两种标准的静电灵敏器件的ESDS分 表3 各类微电子器件典型的静电放灵敏度范围 类 名称 军标MILSTD883 EOS/ESD-S5.1