Sm-Co%2fFe纳米复合永磁多层膜矫顽力机制探究.pdfVIP

Sm．Co／Fe纳米复合永磁多层膜矫顽力机制研究 张健1王芳2沈保根3孙继荣3 l河北工业大学材料科学与工程学院，天津300130 2天津科技大学理学院，天津300222 3中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室，北京100080 研究制备具有多层膜结构的纳米复合永磁薄膜是当前纳米复合永磁材料研究的重 点之一，它不仅有助于理解纳米复合永磁体的交换耦合机制，而且理论计算表明，它可 以发展成为新一代更高磁性能的永磁材料。采用磁控溅射可以制备出具有很好多层膜结 构高性能的Sm．Co／Fe纳米复合永磁薄膜[1】【2】。但其反磁化机 制尚不是很清楚。 名义成分为Cr(50nm)／[a-(SmC06)(9nm)／Cu(xnm)／Fe(5nm)／Cu (xnm)]dCr(100nm)／a-Si02(x=o，0．3，0．5，0．75)的多层膜采用磁 控溅射方法制备，然后在4500C．5500C退火处理30min。用透 射电镜(TEM)研究了薄膜的微观结构，用振动样品磁强计 ⅣSM)系统研究了样品的反磁化机制。 通过测量初始磁化曲线和不同最大外场下的矫顽力变 化，可以看出薄膜样品的反磁化机制为钉扎机制。为了进一 步确定样品的反磁化机制，我们测量了薄膜样品在不同角度e 下的磁滞回线(图l(a))。e是外加磁场和膜面间的夹角。这里 定义反转场Hs，它是在反磁化过程中不可逆磁化率的最大值。 在低角度下Hs=Hc，而在高角度下，Hs越来越偏离He。图 (a)x=O50cyDC退火样品在不 l(b)给出的是测量的薄膜样品Hc和Hs随0的变化。Hc随0 同角度0下的磁滞回线。(b)a 和b分别是x--q)5000C退火和 的增大先升高，在650达到最大，然后迅速下降。而Hs随0 x-q)．3 的增大而增大。我们发现所有样品的Hs随0的变化都满足根 4500C退火薄膜矫顽力 随角度的变化；c,d,e分别是 据畴壁钉扎模型计算得出的Kondorsky关系1／cos0，而远远偏 x--O 4500C 5000C退火．x昌o．3 离根据Stoner-Wohlfarth模型得出的形核机制和修正的形核模 退火和x--O．55000c退火薄 型机制[3】。这进一步证明Sm．Co／Fe和Sm一(Co，Cu)／Fe的矫顽 膜样品的反转场I-Is随角度的 力机制是畴壁钉扎机制。 变化；f是Kondorsky关系 本文得到国家自然科学基金资助。感谢日本国立材料研究 l／cosO； 是基于 g Stoner-Wohlfarth一致转动模 所Prof．K．Hono和Dr．Y．K．Takahashi在样品制备和TEM方 面的帮助。感谢美国德州大学阿灵顿分校荣传兵博士的有益 型的形核机制；h是修正的形 核机制模型。 讨论。 参考文献 【I】J．Zhang,Y．K．Takahashi，GopaIan，and et