p-GaAs同质结太赫兹探测器的优化与性能.pdfVIP

第 34卷第 l期 红 外 与 毫 米 波 学 报 Vo1．34，No．1 2015年 2月 J．InflaredM illim ．W aves February，2015 文章编号：1001—9014(2015)O1—0029—07 DOI：10．3724／SP．J．1010．2015．00029 P-GaAs同质结太赫兹探测器的优化与性能 钱 飞，王天盟，张月蘅 ，沈文忠 (上海交通大学 物理与天文系 人工结构及量子调控教育部重点实验室，上海 200240) 摘要：从提高p-GaAs同质结太赫兹探测器量子效率出发，在考虑温度和偏压等参数的影响后，优化了谐振腔增强 的p-GaAs同质结太赫兹探测器的材料及结构参数，使探测器的量子效率提高到了17％．并计算了探测器的响应 率、探测率和偏压、温度、光谱频率的关系，得到了最佳工作偏压(10～40mV)、最佳工作温度 (8K)和最大探测率 (4．1×10 cmHz ／w)．而通过施加一对匹配的反射镜来构造谐振腔的设计，所能获得的极限量子效率为26％， 极限探测率和响应率分别为5．7×10 cmHz ／W、25．9A／W． 关 键 词：p-GaAs同质结太赫兹探测器；谐振器增强；量子效率；探测率 中图分类号：0047 文献标识码 ：A OptimizationandperformanceofP-GaAshomojunctionTHzdetectors QIANFei， WANGTian—Meng， ZHANGYue—Heng ， SHENWen—Zhong (KeyLaboratoryofArtificialStructuresandQuantumControl，MinistryofEducation， Departmentofphysicsandastronomy，ShanghaiJiaoTonguniversity，Shanghai 200240，China) Abstract：InordertoimprovethequantumefficiencyofTHzdetectorsmadeofp-GaAshomojunction，theeffectsof temperatureandbiasvoltageweretaken intoaccount．Byoptimizingthematerialsnad structureparametersofthereso— nantcavityenhancedp-GaAsHIW lPdetectors，itsquantum efficiencywasincreasedto 17％ ．Therelationshipsamong hteresponsivitynaddetectivityofthedetector，biasvoltage，temperatureandspectralrfequencyweresimulated，leading toanoptimizedbiasvoltagerange(10～40mV)，na optimaltemperature(8K)andamaximum detectivity(4．1× 10ⅢcmHz¨／w)．Byapplyingapairofmatchedmirror，theultimatequantumefficiency，thedetectivitynadhtere— sponsivityrae26％ ，5．7×10。cm Hz ／W and25 ． 9A／W ，respectively． Keywords：p-GaAshomojunctionTHzdetectors，resonantcavityenhnace，qunatumefficiency，detectivity PACS：78．20．．e