彩色STN-LCD用高分辨率正型光刻胶的探讨.pdfVIP

彩色STN—LGD用高分辨率正型光刻胶的探讨 梁魁文 1引言 光阻涂布膜厚控制在l40 9C 1．50岬；前烘以1IO 由于液晶显示器具有轻薄短小、低功耗、无辐射等优 热板直接接触100 点，可广泛的运用在各式电子产品上，日常用品随时都可看 到他的身影。也因为产品越来越广泛，加上人们对彩色显示 (HCI：HN03：H20=52 9：5．4：41．7)中，360sec。 的需求，彩色化的产品已经成为新一代携带式电子产品的主 在曝光上我们选用I 流。 在彩色STN LCD的制作h，对制程与材料设备的要求 415％、0 分别为0 433％与0．450％，显影液温度设定为23℃， 有别于～般的TN—LCD，其中ITO线幅的均匀性对其显示的 显影时间130 sec。利用改变三种的曝光计量与三种不同浓 品质有重大的影响，若ITO阻值的均匀性不佳将会导致工作 度的显影液可以得出这三种光刻胶在显影时的宽容度 电压漂移、LCD加电显示对比度不一致，视觉上感觉深浅不 (Window)。 ，大大降低显示画面的品质。因此，有好的光刻胶将可以 3结果与讨论 协助改善形成电极时ITO线路不均的现象，提升LCD显示画 在此次的实验中，我们显影时光刻胶间距目标值设定 面的品质。 为10m。首先，我们在这三种不同的曝光使用显影液NaOH 本文就以长兴化工长期开发LED用正型光阻的经验， 浓度为0 做一个基本的介绍。 m3／em2。实验结果，光刻胶A在此条件下的变化量为 2实验 1．79Ⅲ；光刻胶B的变化量为2．18m；而光刻胶C的变 我们选择三种光刻胶进行测试，并依照下列的条件进 化量仅l_25Iil，是这三种光刻胶最低的，而且在这三种不 行实验。首先，我们选择欧姆值为5～7Q／era2，ITO的膜厚 同的曝光量下皆很接近中心值。在蚀刻后的ITO间距变化 为3000。3500A的ITO玻璃基板，此种阻值为高阶CSTN所采 上，光刻胶A增加约0．4勺．5m：光刻胶B增加约 0741．1 5 用，所以我们以此作为测试用的标准基板，由于ITO的膜厚 rill光刻胶c增加约0．4‘0 m，故在抗酸 较一般15～200／cm2多出一倍，故可以利用这项实验测试刻的实验中，光刻胶A与C表现相当，优于B。总体表现结 光刻胶抗酸刻的能耐。 果优劣顺序为光刻胶CAB。 表一、[NaOH]：0．415％下三种正型光刻胶的测试结果比较 [NaOH] 光刻胶名称 曝光量(mJ／cm2) 光刻胶间距(m) ITO间距 111) 55 9．02 9．61 光刻胶A 77 1