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第十三届全国固体薄膜学术会议（NCTSF2012 ，山东烟台，2012 年 8 月）
单晶 Tm O 薄膜的制备与 F‐N 隧穿机制
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杨百良 1 1 111 1 2 1
, 杨晓峰 ,刘士彦 ,谭永胜 ,冀婷 ,方泽波
1 绍兴文理学院物电系, 浙江 312000
2 太原理工大学物理与光电工程学院, 山西 030024
摘 要： 采用分子束外延（MBE ）方法,并结合原位退火生长技术在 Si (001)基片上制备了 Tm O 薄膜,
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XRD 测量结果表明所制备的样品为单晶 Tm O . 在低温环境下, 采用 MOS 电容结构对薄膜进行I-V 测试,
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研究了样品的 F-N 隧穿特性, 得出 Pt/Tm O 和 Al/Tm O 的势垒高度分别为 2.95 eV 和 1.8 eV. 从能带的
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角度表明Tm O 是一种很有前途的高 K 栅介质候选材料.
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关键词: 分子束外延(MBE), 单晶 Tm O , F-N 隧穿特性, 高K 栅介质材料
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1. 引言
高 K 栅介质材料由于其在 MOS 器件中可代替 SiO2 一直是近年来的研究热点之一. 稀土金属氧化物
作为第二代高 k 栅介质候选材料, 引起了研究者们的广泛关注[1-3]. 作为稀土氧化物之一的 Tm O 具有高
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介电常数, 宽带隙, 与 Si 衬底接触时良好的热稳定性等优点[4-6], 且单晶 Tm O 具有 Mn O 立方结构, 晶
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格常数为 10.49 Å[7], 与硅晶格常数的两倍 (10.86 Å) 比较接近, 具有较低的失配度, 容易在硅衬底上制备
出性能优良的单晶薄, 因此是一种比较理想的硅基外延生长的栅介质候选材料. Ji 等[8]采用分子束外延
(MBE) 技术成功地生长出了单晶 Tm O 薄膜, 并系统的研究了它的电学特性. 对于高 k 栅介质而言, 除了
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需要具有合适的 k 值和热稳定性，还必须具有相对于 Si 和金属栅极足够大的势垒高度来减小漏电流从
而提高器件性能, 因此, 它们之间的势垒高度成为选择高 k 栅介质候选材料重要的考虑因素之一[9]. 最近,
Wang 等[9]采用 X 射线光电子能普方法研究了单晶 Tm O 薄膜相对于 Si 衬底的能带偏移. 然而单晶
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