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纳米电子束光刻若干工艺技术的讨论 陈宝钦 (中国科学院微电子研究所，北京，100029) 摘要：电子束光刻系统具有很高的电子扫描成像精度，是实验室条件下进行纳米加工不可缺少的工具，在 应用于微、纳米加工中需要解决几个关键技术问题：如电子束曝光邻近效应校正技术问题；电子束曝光系 统与光学曝光系统的匹配和混合光刻的问题；常用电子抗蚀剂的工艺技术和电子束光刻的工艺技术问题。 电子束光刻系统本身虽然可以具有极细的电子束斑(如2nm左右)，但是，在电子束直写纳米量级结构图 形时，尤其是直写亚20nm乃至亚10nm曝光时仍然会遇到种种困难。本报告重点讨论纳米级电子束光刻 中的若干工艺技术问题，包括电子束光刻图形数据设计可制造性的问题；变剂量曝光技术的问题；线曝光 技术的问题；高高宽比抗蚀剂图形坍塌．粘连的问题；绝缘衬底电子束曝光电荷积累的问题；高能电子束激 发的二次电子、背散射电子、x射线及其他电磁辐射的漫散射曝光积累的问题，等等。 关键词：电子束纳米光刻；电子束直写； 线曝光技术；变剂量曝光技术；电荷积累；坍塌．粘连；漫散射 DiscussiononSome ofElectronBeam Technology Chen Baoqin (Institute ofMicroelectronics，ChineseAcademyofSciences，Beijing，100029) beam usedasan nanofabricationinstrumentfor Abstract：Electron nano—lithography(EBL)isindispensable conditionsbecauseofits electronicscan beusedinmicro—and laboratory hi【gh imagingprecision．To technicalissuesneedtobesolved：electronbeam effectcorrection nanofabrication，severalkey proximity mixed betweenEBLand beamresist and technology opticallithography；electron technology；matchlithography andEBL beaminEBL isverydelicate(e．g．，about2nm)，however，as processtechnology．Electronspot system thenanometer insub一20nmeveninsub一10nm forelectronbeamdirect achieve level，especially patterns writing asfollowswillbe for scale．Inthis technical inEBLfornano—scale discussed：design paper,processproblems EBL dose of technology；single-linelithography；adhesion manufacturabilitypattemdata；