纳米和非晶材料的韧性脆性断裂行为及变形机理.docVIP

纳米和非晶材料的韧性脆性断裂行为及变形机理.doc

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纳米和非晶材料的韧性脆性断裂行为及变形机理.doc

纳米和非晶材料的韧性、脆性断裂行为及变形机理 报告人: 美国工程院院士,高华健教授 时???间: 2012-12-08 13:30:00 地???点: 木兰船建大楼A206 主???办: 联系人: 李中华 ? ? 欢迎广大师生参加! ? 报告题目: 报告嘉宾:美国工程院院士,高华健教授 ? 报告时间:201212月8日(周六)下午13:30 ? 报告地点:A206 ? 嘉宾简介: ? 高华健教授现为美国工程院院士、美国布朗大学Walter H. Annenberg冠名教授、国际知名力学家、材料学家。1982年于西安交通大学获学士学位,1984、1988年在哈佛大学分别获得工学硕士、博士学位。1988年受聘于斯坦福大学,任助理教授;1994年晋升为副教授并获终身职位;2000年晋升为教授;2001年加入马普学会,任马普金属所教授、所长;2006年受聘担任布朗大学Walter H. Annenberg教授。 ? 高华健教授长期致力于探索研究生物和工程系统中控制材料与结构力学性能的基本原理,在薄膜及其它材料体系的微观力学、计算模拟等领域做出了重要贡献。至今共发表SCI学术论文300余篇,其中十余篇发表在《Nature》、《Science》及《PNAS》,70余篇发表在固体力学领域最好的两个期刊《J. Mech. Phys. Solids》和《Int.J. Solids Struct.》,并长期担任前者的主编。其SCI总引用达到了一万两千余次,H因子为59。因在微观力学研究领域所做出的杰出贡献,先后获古根海姆纪念奖、德国洪堡奖、美国机械工程师协会首届应用力学青年学者特殊成就奖(每年仅一人)、及国际理论与应用力学学会颁发的希尔奖(四年一届,一届授予一人)等重要学术奖励,并于2012年当选为美国工程院院士。 ? 报告内容简介: ? ???????The rapid development of synthesis and characterization of materials with feature sizes at nanoscale as well as unprecedented computational power have brought forth a new era of materials research in which experiments, modeling and simulations are performed side by side to probe the unique mechanical properties of nanostructured materials. Here we report a number of recent studies on ductile vs brittle fracture behaviors and related deformation mechanisms in nanostructure of materials, including a twin-spacing-induced ductile-brittle transition in?nanotwinned nanopillars?[1], crack bridging by nanoscale twins in thin films [2], and fluctuation induced ductile-brittle fracture transition in metallic glasses [3]. In each study, there?has been a strong synergy between theory and experiment, with new experimental findings driving advances in modeling and simulations, and new theoretical insights suggesting new experimental studies.?The discussions will be organized around the current understandings based on existing experimental and theoretical efforts, as well as the outstanding questions that require further studies in the future. ? ? ? REFERENCES ? ? ? 1.???????D.C. Jang, X.Y. Li, H.J. Gao and J.

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