CaCu3Ti4O12巨介电常数陶瓷介电损耗机理的研究术.pdfVIP

中国电子学会敏感技术分会电压敏学部第十八届学术年会论文专刊 onDielectricLossMechanismof Giant Investigation CaCu3Ti4012 Ceramics Permitfivity 王辉，李盛涛，尹桂来 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室西安710049 捷要：本文利用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti。0。：压敏陶瓷，基于双Sehottky势垒的电子输运过程。利用介电谱研究分析结果，研 究其介电损耗的来源及其影响因素。研究发现，CCTO的介电响应，在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主，而高频下 主要为深陷阱能级的松弛过程所致，特别是活化能为0．12eV的深陷阱浓度，是决定CaCu3Ti．O．：陶瓷高频区介电损耗的重要 因素。降低直流电导，有利于降低低频区介电损耗；而高频区介电损耗的降低，需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸。共沉 淀法制备的CaCu3Ti40。：陶瓷，有效降低直流电导及控制深陷阱浓度，介电损耗降低明显。 关键词：CaCu，Ti,O。：陶瓷，介电损耗，介电谱，直流电导 l引吾 2实验 近年来，巨介电常数氧化物CaCu3Ti4012(CCTO)引起 2．1CaCu3Ti4012陶瓷的制备 了人们的广泛关注。CCTO陶瓷室温下呈现出异常高的介 本文分别采用传统固相法和共沉淀法制备CCTO陶 电常数，并且在很广的温度范围内(100—380K)几乎不随温 瓷。采用传统固相反应法制备的样品标记为CCTO—S。将 度变化，如此优良的介电性能作为制作相应的高介电器件 提供了可能。然而目前，制约CCTO陶瓷应用最主要的因 6h，干燥后950℃预烧10h。造粒后，压制成直径12．6mm。 素是相对较高的介电损耗。近年来，学者们展开了降低其 厚度为1—2mm的圆片状生坯，在1100℃烧结lOh成瓷。 介电损耗的研究，通常以掺杂p-5]或者湿化学法峨71制备 将烧结后的试样表面打磨光滑后，溅射金电极，用于电性 的方法，达到降低介电损耗的目的。但效果并不理想，或 能的测量。共沉淀法制备的样品标记为CCTO—A。前驱物 者陶瓷的介电常数下降明显，或者损耗降低不够。只有对 采用草酸、钛酸丁酯、草酸钠、硝酸钙、醋酸钙、硝酸 其介电损耗的机理具有深入了解之后，才能明确其介电损 铜、醋酸铜为原料。将等摩尔比的钛酸丁酯和草酸溶液混 耗的来源，对其进行调控。 合，再在溶液中加入等摩尔的草酸钠溶液，搅拌后使沉淀 对于CCTO陶瓷室温巨介电性能的起源。目前还存在 溶解．在保证Cf+、Cp离子比例为h3的前提下，调节 一定的争议。到目前为止，CCTO陶瓷室温巨介电性能起