TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中Cl-作用.pdfVIP

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2017-08-13 发布于安徽
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2011年全国电子电镀及表面处理学术交流会论文集 TSV铜互连甲基磺酸铜电镀液中C1．的作用季春花·，凌惠琴，曹海勇，李明。毛大立 (上海交通大学材料科学与工程学院，上海200240) 摘要：TSV叠层式电子封装是今后三维封装重点发展的一种封装技术，其关键技术之一是TSV 硅孔镀铜填充技术。本研究针对TsV硅孔镀铜用甲基磺酸铜高速镀液中C1．的作用及机理展开了系统研究。利用旋转圆盘电极研究了不同扩散条件下Cl。的作用效果，并采用阻抗谱和电子顺磁共振 (EPR)探讨了Cl。在电化学沉积中的影响机制和对Cu+配位场的影响。研究结果表明：在深孔内扩散控制条件下，Cl。对铜沉积有明显的加速作用，而在表面非扩散控制区域，尤其是高电流区域，C1．具有～定的抑制效果。因此，C1-的存在将有利于改善TSV深孔镀铜填充效果，提高填充速度。关键词：TSV：铜互连；电镀；氯离子：甲基磺酸铜 of iononTSVvia Theeffectchloride inMSA bath filling plating dl Da-11 Chun-bua·，LING Hui-qin，LIMing,MAO Abstract：TSVstack hasa for3D inthe technologygood future．Oneof packaging potentialpackaging the forTSV isTSVvia effectofchlorideionon keytechnologiespackaging copperfillingtechnology．The via inMSAbathforTSV interconnectionwas ofchlorideionsunder filling copper investigated．Influences differentforcedconvectionswerecharacterized diskelectrode．Thereactionmechanismof usingrotating chlorideions andCOOrdIinationfieldof ionin ofchloride electrodeposition duringcopper copper presence ionwerecharacterized electron resonance byexperimentalimpedancespectra(EIS)andparamagnetic resultsindicatedthatinthebottomofviawherethe (EPR)respectively．Experimental copper was diffusioncontrolled．chlorideioncanaccelerate whileatthe ofvia electrodeposition deposition top