1064nm、532nm、355nm波长脉冲激光辐照多晶硅损伤特性研究.pdfVIP

第 44卷第 2期 红外与激光工程 2015年 2月 Vo1．44No．2 InfraredandLaserEngineering Feb．2015 1064am、532nm、355nm波长脉冲激光辐照多晶硅损伤 特性研究 冯爱新 1,2,3庄绪华 ，薛 伟 ，韩振春 --，孙铁 囤。，陈风 国 ，钟 国旗 ，印 成 ，何 叶。 (1．温州大学 机 电工程学院，浙江 温州325035；2．江苏大学机械工程学院，江苏 镇江 212012； 3．常州亿晶光 电科技有限公司，江苏 常州 213200；4．江苏锐成机械有限公司，江苏 无锡 214206) 摘 要 ：为系统研究不同波长激光与多晶硅材料的相互作用，采用l064nm、532nm、355nm 波长单脉 冲激光对多晶硅进行辐照实验，研究多晶硅在这三种波长激光下的损伤形态。实验结果表 明：在其他 参数不变的情况下，损伤 阈值随激光波长的减小而变小，且与波长呈线性关系；在低能量密度水平 下，355nm激光与物质作用主要是 以光化学模型为主的光化学一光热共 同作用方式，其他波长为光热 模型 ；在激光能量密度处于低水平时，辐照区域 出现相互连接的规则六边形微结构 ，并且六边形 中心 呈现圆形凸起状态，其产生是 由液体横向流动的波动本质造成的，并与多晶硅表面的粗糙度有关。 关键词 ：波长； 多晶硅 ； 损伤阈值 ； 微结构 中图分类号 ：TN249 文献标志码 ：A 文章编号 ：1007—2276(2015)02—0461—05 Damagecharacteristicsofpolysiliconunderwavelengthsof 1064am ，532am and355am laserirradiation Feng Aixin’ ，ZhuangXuhua2，XueW ei，Han Zhenchun4 ，SunTietun3，ChengFengguo， ZhongGuoqi，YinCheng，HeYe (1．CollegeofMechanicalandElectricalEngineering，WenzhouUniversity，Wenzhou325035，China； 2．SchoolofMechanicalEngineering，JiangsuUniversity，Zhe~iang212013，China； 3．ChnagzhouMillion CrystalPhotoelectricTechnology Co．，Changzhou213200，China； 4．JiangsuRuichengMachineryCo．，Ltd．，Wuxi214206，China) Abstract：Thewavelengthsof1064am，532nm and 355nm single。pulse1aserwereusedtoirradiatethe pOlysilicon to study hte interaction between different wavelengths of laser wiht polysilicon material systematically．The damage patternsofhte polysilicon underthe three laserwavelenghtswere studied． Experimentalresultsshowshtat：wiht ohterparametersunchanged hte dma age threshold decreaseswith ， htelaserwavel