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集成化真空电子器件的发展与关键技术研究
阮存军 张长青 赵 鼎 王树忠 杨修东
中国科学院电子学研究所中国科学院高功率微波源与技术重点实验室，北京100190
摘要：集成化真空电子器件借鉴了集成电路的概念，通过采用高精度平面高频系统，微加工和微组装技术，发展出结
构紧凑、一致性好、频带宽和大功率亚毫米波和太赫兹辐射源，有效地解决了传统真空电子学向高频段发展时的基础科
学问题和瓶颈技术，已成为真空电子学领域重点开展的新研究方向。本文给出了国际上最近开展的集成化真空电子器件
的研究工作，分析了开展集成化真空电子器件研究需要重点解决理论与机理、仿真与设计，以及加工与装配等关键技术
的新思路和新方法，对我国开展这类具有重要应用潜力的新型器件的研究具有重要的借鉴意义。
关键词：集成化真空电子器件;亚毫米波和太赫兹;平面高频结构;微加工技术
TheTechnologicalDevelopmentofIntegratedVacuumElectronDevices
RUANCun-junZHANGChang-qinZHAODingWANGShu-zhongYangXiu-dong
KeyLaboratoryofHighPowerMicrowaveSourcesandTechnologies,InstituteofElectronics,
ChineseAcademyofSciences, Beijing100190,China
Abstract:TheIntegratedVacuumElectronDevices(IVED)canhaveananalogyconcepttotheintegratedcircuit,which
aimstodeveloptheminiaturizedhighpowerandbroadbandradiantsourcestowardthebandofsub-millimeterandterahertz
frequencieswithhighconsistencybyusingplanhighfrequencystructures,micro-fabricationandmicro-fabrication
technologies.Furthermore,itcanovercomethefundamentalscientificandtechnologicaldifficultiesofthetraditionalvacuum
electrondevicesresultingfromthereductioninsizeasthefrequencyincreased.Therefore,TheIVEDhasbecomeanewand
importantdirectionfortheresearchfieldofvacuumelectronics.Inthispaper,therecentresearchworksfortheIVEDinthe
worldareintroduced.Also,thekeytechnologiesoftheoryandmechanism,simulationanddesign,machiningandassembling
forthedevelopmentofIVEDareanalyzedindetail,whichmaygiveimportantthoughtandnovelmethodtodevelopsuch
usefuldevicesinourcountry.
Keywords:integratedvacuumelectrondevices;sub-millimeterandterahertzfrequencies;planhighfrequencystructures;
micro-fabricationtechnologies
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