陶瓷材料的原位合成技术.pdfVIP

第五卷 第二期 6 China Building M aterialsScience ＆ Technology 1996~ 4月 一 【I 陶瓷材料的原位合成技术 陶 避 垒室 岳-梅 (中国建材研究院 ，7f ． 帮 摘薹)本文对各种原位合成技术的方法特征作了简要介绍，这些原位合成技术包括：原位热 压技术、XD技术、CVD技术、DIMOX技术、熔体浸渍技术、反应结合技术及 SHS技术等。 关键词：材科，原位合成，原位复合 反应可 以是化学反应，也可 以是物理化学变 一 、 前 言 化过程。 中 通过原位化学反应制备复相陶瓷 已在我 材料特别是复合材料的原位反应合成 已 们 以前的文章中作了介绍 0’，此处不再赘 ， 聪 成为材料的重要制备技术，并且越来越受到 述 。关于原位物理化学过程，最典型的例子 擀 国内外的高度重视。原位合成主要具有如下 是 SN4和 SiC陶瓷中 一SN4和 一SiC长 黻 优点 “ ：简化工艺、降低原材料成本及实 柱状晶的原位生长 。在 SiN 陶瓷中加 现特殊显锾结构设计和获得特殊材料性能 。 入稀土氧化物如Y203、La203、CeO，、ScaO 另外，采用原位合成技术制备的材料具有很 等，采用适 当的工艺即可获得分布均匀、发 厶 好的热力学稳定性，而不像采用传统工艺制 育 良好 的原位 自生长 一Si3N4柱状 晶。对 r 备材料时可能存在的物理、化学反应使组成 SiC 陶瓷 ，Padture采用的工艺是 ，在原料 物相失去所设计的性能。 SiC 中加入 0．5vo1％~-SiC作 晶种 ，用 目前报道的原位合成技术主要有：原位 Y2o3和 A12o3为助烧剂 ，在 1900~常压液 热压技术、XD技术、CVD技术、DIMOX 相烧结 O．5h，然后在 2000~热处理 3h完成 技术、熔体浸渍技术、反应结合技术及 SHS fl~ -SiC相变，同时实现晶粒生长，最终获 技术等 。本文拟对上述技术分别简单介绍， 得的 SiC为厚约 3#m 长约 25#m 的长柱状晶 并提供一些实例，希望能起到抛砖引玉的作 体，并且有 20vo1％的钇铝尖晶石(YAG)晶 用，促进原位合成技术的研究与开发 界相 。这些柱状晶在裂纹扩展过程 中起偏转 和桥联的作用，材料一般具有较高的韧性和 二、原位合成技术 强度 。 Barsoum 和 Hotmg 提 出了一种过 渡 1．原位热压技术 塑性相制造工艺 (TransientPlasticPhase