一种曲率补偿CMOS带隙基准源.pdfVIP

维普资讯 第 35卷第 5期 微 电 子 学 Vo1．35，№ 5 2005年 1O月 Oct．2005 ArticleID：1004-3365(2005)05-0531-03 A Curvature-CompensatedCM OSBandgapReference W ANG Shuai—qi，IA Fu—le。，WANG Zhi—hua。 ZHANG Tian—yi1 ， (1·Dept．ofMicroelectro，tics，Peki77gUniversity．Beijing100871： 2·InstituteofMicroelectronics，1si，g， University，Beijing，100084， P．R． №) Abstract： A curvature-compensatedbandgapreferenceispresented，whichiscapableofgenera— tlngasimulatedreferencevoltageof1．438V．Simulationresultshowsthatitconsumes64uA statccurrentwithasupplyvoltageol5V atroom temperature ． Anultimatesimplebuteffective technlqueisusedinthisbandgaparchitecturetostraightforwardlyimplementthecurvaturecom— pensatlon·Jhedeviceachieves13．7ppm／KofsimulatedtemperaturecoefficientinthetemDera— turerangefrom 0Cto8O。Cand64．7dBofsimulatedpowersupplyrejectionratio ． DeveiODed for a 10一bit20一MS／stemperature-stableADC，thebandgapisimplementedinadouble_m tal ． ． ． double—polysilicon0．6一“m CMOStechnology． Keywords： CMOS；Bandgapreference；Curvaturecompensation；Low powerconsumption CLC Number：TN432 Docmu entCode： A 一 种 曲率补偿 CMOS带隙基准源 王帅旗 ，李福乐 ，王志华 ，张天义 (1．北京大学 微电子系，北京 100871；2．清华大学 微电子研究所，北京 100084) 摘 要： 介绍了一种可提供 1．438V基准电压的曲率补偿带隙基准源。采用一种极其简单有效 的方法，直接