1-硅材料中碳氧杂质行为.pptVIP

第一讲 硅中杂质的行为 综 述 研究意义 半导体的性质在高纯状态下才能体现 杂质控制是半导体材料最重要的问题 杂质对半导体材料和器件的性能产生决定性影响 研究杂质的性质、分布、杂质间的相互作用和对材料器件的影响 硅材料中常见杂质的来源 非金属：碳、氧、氮、氢 在多晶硅和单晶硅生产中引入 重金属：铁、铬、锰、钛、铜、金、银、铂 来源于原材料和器件制造过程污染 掺杂元素：硼、铝、磷、砷、锑、锂 为了控制半导体的性能人为掺入 杂质在硅晶体中的存在形式 杂质原子可以处于晶格替代硅原子位置——代位原子，或者晶格间的空隙位置——间隙原子 形成原子团——沉淀，（几十到几百埃） 形成复合体：杂质原子-空位，杂质原子-位错，杂质A-杂质B 在硅的禁带中引入能级： 浅能级杂质，深能级杂质，电中性杂质 浅能级杂质 杂质的电离能较低，在导带以下0.04 – 0.07eV 人为加入硅材料，控制材料的导电性能 例如P、As、Sb杂质处于硅晶格位置，四个电子形成共价键，一个多余的电子可以被激发到硅的导带中，形成电子导电，电离能： P (0.044 eV)、As(0.049 eV) 、Sb(0.039 eV) B、Al、Ga杂质位于硅晶格，需要接受一个电子，在晶格中形成空位，电离能： B(0.045 eV)、Al(0.057 eV)、Ga(0.065 eV) 深能级杂质 杂质施主能级距离导带低较远 杂质受主能级距离价带顶较远 硅中的金属杂质通常是深能级杂质，且常常有多个能级，既有施主能级，又有受主能级 例如 Au: 施主0.35eV ， 受主0.54eV Cu:受主0.52eV, 0.37eV, 0.24eV Fe:施主0.55eV, 施主0.40eV 杂质电离 杂质电离后获得电子或空位——载流子 杂质电离与温度有关，与杂质浓度有关 完全电离时的载流子浓度 n 轻掺杂时（1011-1017cm-3）室温下材料中的杂质可以全部电离 载流子迁移与硅材料电阻 载流子在外加电场的作用下做漂移，平均漂移速率V 根据电导定义，材料的电导率等于载流子浓度和载流子迁移速率之积 因而电阻率 载流子迁移与硅材料电阻 载流子迁移主要受到晶格散射和杂质散射，对于较纯的材料，室温下主要是晶格散射；如右图，温度越高，晶格散射越明显， (杂质含量1014cm-3 ) 电子迁移速率较大 载流子迁移率随杂质浓度升高而下降 室温下硅的电阻率与载流子浓度 多晶硅、单晶硅的生产中经常需要测试电阻率来控制产品质量 电阻率的测试方法较为简单易行 通过电阻率可以换算成杂质浓度 但对于高补偿材料慎用！ 杂质补偿 如果晶体中同时存在施主D和受主杂质A，施主杂质的电子首先跃迁到受主杂质能级上 当NDNA，半导体为n型，n = ND - NA 当NDNA，半导体为p型，n = NA – ND 当ND=NA，施主与受主的作用抵消，电阻率很高，貌似高纯半导体 杂质补偿 硅中的金属元素经常在禁带中引入多个杂质能级，既有施主能级又有受主能级 例如Au，在导带下0.54eV处有受主能级，在价带上0.35eV处有受主能级 大多数情况两个能级并不同时作用 对于N型硅，电子较多，受主能级作用易形成Au- 对于P型硅，Au易释放电子形成Au+，施主能级作用 无论对N型P型，Au使载流子减少，电阻率增大 杂质补偿 硅中的金属通常作为复合中心降低掺杂元素的作用，使材料的电阻率增大 硅材料中的氧和碳 氧和碳在硅中的存在形式 对硅材料性能的影响 硅材料允许的氧碳含量 氧的来源 硅中的氧来源于材料制备过程 直拉硅单晶生长中氧来自石英坩埚污染 部分SiO蒸发，部分分解引入Si熔体，最终进入硅晶体 氧浓度受到石英坩埚接触面积、熔体对流强度、SiO从熔体表面蒸发速度的综合影响 硅熔点附近的氧平衡浓度可达2.75x1018cm-3，随着温度降低，氧的固溶度急剧下降，硅中的氧处于过饱和（ 5~20x1017cm-3 ） 氧的位置 氧原子处于硅晶体的四面体间隙位置——间隙氧 间隙氧本身时电中性杂质，不影响硅的电学性能 氧断开硅原子形成硅氧键-Si-O-Si- 硅氧键有不同的振动，在红外光谱区域形成吸收 1203、1107、517、29.3 cm-1 氧的行为 氧在硅中扩散与温度的关系极大： 高温有很高的扩散速率：10-9-10-22 cm2/s 在氧气氛中热处理硅材料时氧扩散进入晶体，也会从晶体中扩散出去 在后续工艺中形成“氧施主”引起材料电阻率的改变 或者一定温度下热处理会形成氧沉淀以及相关缺陷 形成“氧沉淀”引起集成电路中的漏电，降低成品率 热施主现象 硅样品在350-500℃温度区间加热后，N型电阻率下降，P型