GaNLED芯片的制备与特性.pdfVIP

G-N LED芯片的制各和特性 张冀①李胜瑞王宗英付一哲张万生韩阶平@ (0信息产业部电子第十三所光电专业蕾看采庄050●51) ‘河北立蕾电子有飘公司石素庄口s0051) (0中田辩学院撤电子中心北京oloolo) 攮要：本文对制造GaN LED芯片的工艺路线进行了初步探索．报道丁采用 了n，N“^■半遗明薄膜P电扳和Ti，^l薄膜N电极制作G矗N蓝光LED台面 螬构芯片的研究结果．N型掺杂G-N的Ti／^l欧姆接触比电阻约为6×lO一5 进行干法刻蚀，G-N台丽高度大于1徽米．最后给出了G-N LED台面结构芯 片的特性． 1．目I吉 G-N及其嗣涪律^I(1_)xG-1·xN属于Ⅲ一V族竟带隙化台物半导体材料材辩， 盯用于蠢光嚣、发光蕾、徽渡和尚沮器件Il】12】．这些嚣件的实用化不仅取决 于近年来Ⅲ·V篪置化物岫cVD、帅E和HVPE外延生长技术的进展．面且也寓 不开G-N苍片柏甜作工艺，其中P型和N型G-N欧姆接触和台面结构的形成 与量件的毪能患患相关．在遂些方面最近几年国外已有大量文献报道 l‘l【7儿0l【9l· 在保证得到优良曩件性能的前提下，GBN欧姆接舶和台面结构形成的工艺造 径置有多种多样，瞧对G·NLED产业化说来，工艺简单、成本低廉却显得尤 为t要．本文对制造GnNLED芯片的工艺路线进行了初步撵囊，给出了选择 n，Ni，^_、T姒l形成欧姆接触和采用ICP干法刻蚀形成台面结构芯片研究的 韧步结果． 2．实验 捌作掸晶所甩的材料是在C面抛光的蓝宝石村底上采用MOCvD外延拿长而 戚，有黑屡为I-G-N多量子阱结构，遇火的顶层为搀Ml的P型G^N，经过 ■蚀外I的赢层为N型G-N．P电极、N电极分别从顶层和底层的欧姆接触引 出，可用圈示仪舅其伏安特性，用光功率计测其光输出． (1)外置材辩P墨化的退火 Mt量G时帆nG-N材料唯一可行的P型杂质，但采用MOCVD法生长的Mg 搀杂的G-N外匿为高阻材料，需要通过退火工艺，才能得到P型低阻G-N． 常用的遢火方法有高温快速退火和普通退火。这里采用普通退火工艺，其设备 俺簟，条件容量控制，适合大批量生产．主要的退火条件有氮气的纯度、流量、 ·∞’ ■度和对棚． (2)台面的戚君 由于蕈宝石衬庶为绝t律，必碉疆过对^1G^InN的囊蚀，■出H越晨形成台 一■桷才■分别从台蕾的顶薯和蠢■引出正负电撮．而^1G-InN材辩盼让拳特 性事常■圭．曩常无法用化拳试捌实现汪法■蚀．因此多采甩干洼翔蕾技术． 知IC^眦、置CR-刚E●．而且多采用氯气作为捌蚀的反应气体．进■采用 p IC，-RI一封蚀纛麓，可保证所需的大于lm刻蚀深度． (3)N重G·N欧姆接■形成 鼍需认为，功西藏较小的盒一道含于制鲁N型G-N的歇鼻接■，遮量采用 1ri，^l材辩．曹先依次分剐蒸发诧积：fi、^l，然_后台叠． (．睾鼍啊P蔓G-N的双姆接■ 丑雷认为功西量较大盒一适合于捌鲁P型G-N的瞅姆接■，量常用韵盒■ 有I -)．注入电蠢舳横向扩晨非常小．肉正匿发射的光，绝大部分麓盒一■鼍曩收 捧．为了■决避一目曩，则必绠采用半遗明P型欧姆接■电援． 由于盒■对光的嗳收作用攫薯，光的强度在垒一中囊蕞根快，田此，曩霄土 一∞蠢光奉囊低．当盒一的厚度艇肆(小于50n-)时，光不喜全尊麓曩收．耸晨 仿慧套膏一蕾分先遗过垒■屡，遗光奉和盘■膜厚度的关系为： T虻e王p(一嘎t) 其中T为先的最射事：a为吸收系藏，与光波的囊事、金属材辩成分有关：t 为盒■t的■度． 这里刺用上述曩理．采用P“Ni，A·薄膜翻鲁P塑G-N欧姆接■电援，t先 在台爵硬尊依次分别薰发超视Pt、Ni和的^u．然后含盒．为了实理■曩引■ 的连接，再薹发妁1p·的■叠屡，作成直径loo—120¨I衢单一形电撮． 3．堵果和讨论 按■{；l上工艺蠢件，我们制备了具有半透明P电撮的^lGtInN古面螬相的蕈 光LED萏片， HN