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GaN中的杂质行为及其光电特性★ 林秀华 彭万华 ‘I门★种ll■n*I瞄) ‘量门率■电子机盛■t门∞I朋‘) {青要：本文报道丁用-0cVD生长GaN单晶及其多层双异质结结构中使用杂质洱的性质与掺杂工艺 条件及其对材料、器件光电性质的影响．结果衰明，为了减少G州外廷层的黄色辐射．褒 高双气流柬潭的V／Ⅲ比例有利于降低N空位，增强短波的辐射与嚣件效率． 关键词：GIN．掺杂杂质．工艺誊件．光电性质． )( 以G州为代表的典型ⅡI—V旗氰化物化学性能稳定．綦带宽度3．36“；当与其他珊一V篪肆化 钫，氯化秭组成兰元，四元同溶体蘩带竟度可连续麦化．该材料制成的发光二撮譬(LED)、激光 二撮f(LD)光辐射滴盖可见光至紫外波段．在信息王示，存储、光电探测、高沮、高频、大功 率嚣件、波导调制等方面部有广■的发展前景ll…．G叫及其多元同溶体材辩舶外廷及器件的研 翻成为当蕾蠢受关注的课墨之一． 多年来．薯在解决G州熔点(1700℃)高、单晶制备田难．进行了许多卓育成效的研究．特 别是使用金一有机物化学汽相沉积(舯cvD)，金一有机裙汽相外匿(聊盹)．分子柬外廷(捆E) 技术成功地在si，G“s、d“12％上异质外匿生长出质量较好的肆膜簟矗．G叫嚣件的研制与开 发取辑丁实用性的进展，19“年蓝色L朗由日亚公司曹次推向市场【l】． 为获再^辐射、离效率GdH蓝邑L∞．关键蔓解决GaN单晶，并扼制成pn绪．GaH是一种I 接带骧材料·具有很高自补偿效应．其奉征载漉子浓度(lO”H‘3)很高．未故意掺杂皆衰现为 n翌…．另一方面，器件制造中往往会造威氯(N)的空位、成为自然的胜漂，给p．型c“的 掺杂带来了麻烦．因此一择定GaH的掺杂杂质．优选工艺条件对器件来蜕是至关重要的． 1、掺杂源的选择 6州及其同溶体捕主掺杂剂有Ⅵ族元素氯(o)、硫(s)、硒(se)等，还有Ⅳ族元素锗(Ge)、硅 (si)．后者是一种阿性掺杂荆一在不同掺杂条件既可充当施主，也可成为受主．si的电离能为 27-“，它掺入G蜊中若取代GB形成线捕主．GaN异质外廷生长中si杂质主要以化音韵stH．作 为掺杂潭由氢气(性)携带．在一定沮度下注意控制siH。／T描a双气柬漉肋比例叩可获舟一定掺 杂麓主浓度舳n型层． 作为受主掺杂荆的有Ⅱ族元素锌(zn)、镬(MI)．它们主要以瞢位方式进入GaN中取代Ga起奠 主办顺作用．m—V旗化台物半导体用zn作扩救源．通常在V族气氛下7∞。～∞o℃下进行zn扩 散掺杂，借助量度、时间的控制可获得较平整的扩散结．酗在G8H中能有效地补偿本证戴巍予产 生的n层，丽获得高阻材科¨】．Mg也悬受主掺杂剂，其电离能25嘶ev…，比zn(340lev)略小． 两者在G酬中呈现受主性质．如果在1200℃高沮生长条件下Mg掺入G州，其补僖中心可以是N 空位，或者在％存在时补偿H．事实上H呻E外廷过程是用南纯心携带生长黑和杂质掺杂源： 在反应窒嗡一2H．电禹后}r与Ilg能结合成中性络台物．当外延结柬．生长沮度降至室量，№与H 劐睫形成■rH受主一施主对，从而限制了IIg在GaH中有效的掺杂．为此．在I^g作为P吨州掺 杂后，务必经过低能电子辐照(L哪I)或热退火；从而可得到Ndm3×lo“％’3有效高电子浓度 的掺杂．也有利改善晶体的完整性．减少位错与缺陷【11． ·福建省自然科学资助课题 ·51· 2、掺杂工艺的优选 I鹎1年日亚公司首次报道了在蓝宝石。叶1：q(0001)c面上用-∞VD方法异质外廷生长 IlIG酬，^lG州商亮度G拥蓝色岫．采用高纯Hl输运三甲基铼(T瞄B)、三甲基铝(T姒1)、三甲 zn作为奠主受主掺杂嚣．圈l是此器件结构示意图． 基铟(T虹n)和鹄为一气体；siH．、_n 叠l I晡■l啊】cIH飘异虞墙掏示t圈 为了蕞少村鹿与G一生长层之间矗格失E首先在苴宝石生长—缓冲层．叩使村底q-^l|吼氰 化处理、生长^10I．挑薄层．然后分别通过取气流柬潭与Nh、siH．、zn、k掺杂潭．运屡生长 麓主参杂■n．G州屡生长较厚妁20u·．以有效的消除村底^括失配髟响．在10∞℃下利用