LiF掺杂电子注入层对有机发光器件亮度与效率的影响.pdfVIP

L i F掺杂电子注入层对有机发光器件亮度和效率的影响 李持南肖步文起最栖丹霞刘宏宇李峰侯晶莹刘或祷 吉林大学电子工程系＆集成光电子学国家重点实验室，长春，120023 有机发光器件作为新一代平板显示器以其诸多优点表现出巨大的应用前景，成为 人们的研究热点，特别是c．w．Tang报道高亮度的有机发光器件以来f1】，高效率嘧】、更 高亮度[3]和长寿命H1的器件成为人们的主要研究目标。器件的亮度和效率依赖于在发光 区形成的激子数且以及从正负极注入到有机材料中的载流子的平衡程度等因素，在有 Tin 机发光器件中，ITo(Indium 0xide)正电极与常用的空穴传输材料如TPD之间的 势垒比负电极和电子传输材料如A1q之间的势垒要低，这样导致电子的注入比空穴的 注入困难，因此增加电子的注入对提高亮度和效率至为重要。低功函数金属如Lj、ca、 Mg等常用来作为器件的负电极以改善电子的注入，达到高亮度和高效率的目的，可这 些金属其稳定性较差，不利于提高器件的稳定性。而金属A1作为负电极材料虽然稳定 性好，却存在器件的亮度和效率低的缺点。为了提高器件稳定性，人们采用了在金属 在制作大面积有机发光器件时，要获得大面积、均匀的绝缘层是比较困难的，而器件 的特性对超薄绝缘层的厚度变化又十分敏感。 本文中，我们利用LiF掺杂在铝电极附近的有机材料中，制作了亮度和效率得到 提高的有机发光器件，这种方法解决了制造大面积有机发光器件的过程中需要超薄绝 缘层的问题。实验中所使用的有机材料分子结构及器件结构如图I所示。图2为不同 的LiF掺杂浓度时器件的电流密度一电压特性曲线比较：圈3为不同的LiF掺杂浓度 时器件的亮度一电压特性曲线比较。 Alq3 Alcathode A1cathode Alq3：LiF A1q3 Alq3 TPD TPD 工T0 glass ITO 91ass 图1 实验使用的有机材料分子结构及器件结构 0．49 ’D 一．E每。)mm。u；L{B|L由 Vo怕ge【V) 图2不同的LjF掺杂浓度时器件的电流 图3 不同的LiF掺杂浓度时器件的 密度一电压特性曲线比较 亮度一电压特性曲线比较 掺杂器件的4—5倍。另外掺杂层厚度在2一和20m之间时对器件特性影响不大。文 中我们还对效率和亮度的提高原因进行了简单分析。 参考文献 W Lett C TaⅡgandSA．ⅥmSlykeAppl．P}lys51(1987)913 Lett ●2 J KidoandY8日山1r0 Phvs 73(1998)2721 ll砌1．Appl