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第 卷 第 期 太 阳 能 学 报 ,
年 月 ,
人 人
掺硼 非 晶硅 一 材料 固相
晶化 的研究
于振 新 孙 云 世国 孙 温元
瑞 耿 华 刘 钟林 徐
南开 大学光 电子 薄膜器件与技 术研究所 , 天津
文摘 对掺硼 材料 的固相晶化进行 了研究。 通过对 不 同掺 浓度 的 一 样品退火前后 的
、 、 、
射线衍射 光 吸收系数 电导率 激活能及 迁移率 的测量发现, 原子在 固相 晶化过程 中起
晶核作用 , 晶化后 的样品具有较 高的迁移率及 电导率, 同时具有较大 的禁带宽度。 当掺 浓度 仅
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为 一 编时 晶化后样 品的 电导率为 迁移率为 禁带宽度
该材料是一种较好 的太 阳
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