氮化硅层在GaN外延生长中的作用.pdfVIP

20∞年10月·广西·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 氮化硅层在G州外延生长中的作用 叶志镇张吴翔赵炳辉刘红学王宇李先杭 浙江大学硅材料国家重点实验室．杭州．310027 【擅要】本文分析了硅表面形成的氮化硅层在CaN外延生长中的作用。XPS分析表明村底 在900_；C氨气氛中氮化10分钟后，表面覆盖着一层氮化硅，RHEED表明这层氮化硅为非 晶态．外延生长后的XRD的溯试分析表明该氮化硅呈一种高度择优取向的结晶状态。有 无氮化硅覆盖层的GaN外延薄膜的XRD的对比分析表明该薄氮化硅层提高了GaN外延薄 膜的晶体质量。 1 弓『言 在si衬底上的GaN的外延生长研究中，人们很早就想到，处于活性氨的气氛中，si 的表面可能会形成sixN。化合物。早期的研究中人们试图避免这种氮硅化合物的形成，因 为它可能楹化CaN外延膜的表面形貌【1]。1998年，Y．Nakada等人报道了在覆盖有氮化硅 层si衬底上的GaN的外延生长的研究结果。他们发现氮化硅处于非晶形态时，对GaN的外 延生长具有有利的作用，但是他们的报道中并未对氮化硅的具体作用作出明晰的解释【2]。 本文中，我们在有无氮化硅覆盖层的GaN外延薄膜的晶体学质量进行了对比分析，并由此 提出氮化硅在si基GaN外延中的作用的理论解释。 实验采用晶向为(111)的P型直拉si片做村底。1#样品硅片经过清洗后，在真空室 中通人NH，在900C下氮化i0分钟后．即进行外延生长。其中．缓冲层生长温度为800℃， 生长时间为10分钟；外延层生长温度为1050℃。生长时间为40分钟。2#样品硅片清洗后， 先在村底表面沉积一层Ga，时间为10分钟，再在真空室中通人NH，进行缓冲层生长，随后 进行外廷生长，生长参数与1耐葶品相同。3*样品在经过i0分钟的氮化后后，即取出进行 射线衍射对其晶体学性质进行测试。 在我们进行衬底的原位清洗时，通人了NH3、以使其分解为N：和H：，利用H：与$i0：之 间的反应以去除表面的钝化层。在这个过程中，活化的H愿子会与si衬底反应形成si的 晶态氯化硅薄膜【31。 图1示出了si衬底900．：C温度下在嘲]气氛中氮化i0分钟后的光电子能谱图(XPS)。 们可以看出Si村底氮化后的氮与硅的结台．这表明si的表面主要是si，吼覆盖着。图2为 si撙。膜呈一种非晶的状态。已有的研究【5，6，7]表明，N如在室温甚至更低的温度下就会与 si表面反应，但此时反应只是局部行为，当温度提高到600C，si的表面结构完全被破坏， 表明在此温度以上，si与NHs的反应不再是局部的，而是覆盖整个表面。图3和4分别为 40 2000年10月·广西·北海 第七届全国周体薄膜学术会议 村底氮化i0分钟后N和si随时间的j【Ps剥蚀图谱。与图1的结果相同．si与N的结合是 相当明显的，由此我们可以进一步证实表面确实覆盖着一层氮化硅膜。 图1、硅衬底在900度氮化10分钟后的XPS谱 图2、si衬底900‘：C温度下氯化i0分钟后的RHEED图谱 ． t t f I l - ： 度下氮化i0分钟后si元素的Y,PS剥蚀图谱(图中从下而上为表面向深度方向的测试结果) 了另一衍射峰，我们认为此峰是六方结构氮化硅的(0002)衍射蜂，其对应的晶面间距为 2．82。我们认为9001C时si、表面氮化形成的Si，N．由非晶态转化成一种高度择优取向的晶 衍射峰出现，其中，GaN(0002)衍射峰相对于图5中明显宽化：另外，两样品的生长条件 一样，厚度对衍射峰强度的影响可忽略不计，从图中可看出