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氮氧化硅薄膜的光学特性及其在光波导中的应用 但亚乎岳瑞峰王燕刘理天 (清华大学徽电子研究所．北京100084) ■要 氨氧化硅(SiO，Ny)有许多优良的特性．特别是其折射率可调、击穿电场高，因而在光学器件和深亚徽米 MOS技术方面有广阔的应用前景．本文重点舟绍SiON的光学特性及其在光波导中的应用。 关t宇 SiO；N，折射率可调光波导 一．引盲 氮氧化硅(Silicon 电场高、抗辐射能力强、平带漂移和界面态小口l、薄膜应力可调零聊等优点而获得广泛的应用：最 应晶体管的栅介质上显示出较Si02无可比拟的优良特性，另外它在提高集成电路的集成度(减小场 应用。当然，它还有一个应用前景广泛为人{fJ所看好的领域：光波导|1．Ls,gjo】。 膜的性能有很多不利的影响，例如会减小击穿电场，其谐波吸收会增大波损。高温F退火，可丈幅 度地改善薄膜的特性，这是因为退火很大程度上可消除氢元素的存在。制备SiON薄膜的常规方法 是PECVD和LPCVD，两种方法互有优缺点．往往配合使用，以对薄膜的性能进行精确控制。 可通过调节薄膜中各元素的化学含量比，达到调节其性能的目的。例如，作为钝化膜．需要具 有致密的结构、优良的绝缘性：若作为EPROM的钝化膜．则希望其光学带隙宽对紫外辐射透明； 若用作电介质层，则希望它高度绝缘并结构均匀一直；要是用作DRAM电容或抗熔器，它除了必 须高度绝缘外，特别要无缺陷无陷阱，这些都可通过调节工艺参数达到。而作为远紫外辐射刻蚀技 术中的抗反射膜，在特定曝光波长(如 193rim)处其反射率也可调节为零! 二．si洲慧簟的光学特性 参与制备SiON的各反应物的 气相混合比和工艺参数不同，SiON 中各元素的化学计量就不同， 其中极限形式可以是SiO，、a-Si 和si3N4。图1给出了SiON薄 膜可能存在的一系列形式。一般 1．高度富硅的SiN。3．SiO； 而言，调节si0N薄膜中si、O、 2．富硅SiNx 4．si％ov N的含量可得到满足设计要求的 图1 上面的三角形描绘了si、O和N所能组 带隙宽度、绝缘、抗反射和电容 成的所有物质．这些成分不同的薄膜，性质不同 等特性。图2—5比较了SiON薄 可满足不同的{殳计要求。 膜各种存在形式的折射率和消光系数。 在图2中非晶si薄膜是典型的半导体并不透明。随着O含量从无到有的增加，薄膜的绝缘性 和透明性逐渐增强。当增加如以形成Si3N。时，随着$i-N数量的增多，带隙高度也在增加，薄膜变 得越来越难以穿透!尽管，Si3N4仍然透明和绝缘，但折射率和消光系数都比Si02的要大。 图3比较了高度富硅siN。和富硅SiN。的光学常数。这两种物质代表图l中薄膜1和薄膜2，其 ·98· 中薄膜1中Si／N比远比薄膜2中的要火得多。薄膜1更接近a-Si，因而介电性更差，而且由于它的 si含量更高．所以更不透明．k的值也更大。由图可知：(1)在远紫外光区(DUV)Pq，k的值越大． 越大。另外，N元素的出现使得这两种膜的导电性比SiO、和Si02的都要强。 t 一 鼍 盏 ；t翟车 监 互 掣 幡 簧 窖 拿龌悼甜警 t一枷■●囊瞳●∞憎-lira 波长(m) 波长(rim) 圈：小透明的a。Si的k币为年；嬉唧 牌3比较高度甫舛si^-和面磷 的Si02的k值为0{透明性最好 SiNx的n值和k值。蚺青的性质接 的SisNt痒川址光K内k值为0， 近I：n—Si _{住远营，仆光医币为O．