禁带宽度梯度化的半导体薄膜光电极的研究.pdfVIP

辫 学 扛 第46卷第1期 2001年1月 简 报 禁带宽度梯度化的半导体薄膜光电极的研究 赵高凌 宋 斌 韩高荣 幸琢庄光 横尾傻信 ①【浙江大学材料科学与 呈学系，硅国家重点宴验室 杭州 310027；②浙汀大学物理系．硅国家重 实验室．杭州 3]0027 ③京都太学化学研究所．京都 6I]一0011，日车 Email：songzhao@mailhzzjcn) 摘要 为了得到光电化学性质稳定且具有宽的光吸收范围的光电扳材料，给出了一种禁带宽度梯度化 的氧化物半导体薄膜电极的设计．用溶胶凝胶法将不同v厂ri比的港胶逐层涂于基板上，通过热处理得 到了禁带宽度梯度化的Til 薄膜 电极 XPS结果显示所得薄膜中形成了组成梯度．这种Tihv ， 薄膜 电极的光电化学^生质稳定，光生伏打约为360mV，可见光区具有明显的光电流．与纯的TiO，薄膜 宅极相比，Til叶 Oz薄嗟电极的光电流起始电压正移 了 这是由于电极表面富集的钒形威 了电子空穴 复台中心．TilnV【r02的导带最低能级比TiOz的低可能是引起正移的男一原 目 阻抗分析表明Til r01 的跫主密度 比nO2的高． 关键词 禁带宽度梯度化 溶胶凝胶法 光电极 氧化钛 由于其光 电化学性质稳定，是一种很有 半导体的研究报道．本研究设计了禁度宽度梯度化 发展前景的湿化学太阳能电池光电极材料 ’．但是 的 TilVO2氧化物半导体光电极材料，我们选择禁 由于其禁带宽度大(约 3eV)，不能利用太阳能中的可 度宽度分别为 3和 0，62eV的TiO2和 VO2来制各固 见光区能源，太阳能转换率很低 另一方面，现有的 溶体薄膜．如图 1所示．电极的表面组成为光电化学 窄禁带半导体虽然能够吸收太阳的可见光区的能量， 性质稳定的 TiO：，在薄膜厚度方向连续改变其组成 但光电化学性质不稳定 大家知道Ⅲ一V族混台半 t 形成禁带宽度梯度化 的半导体薄膜 电极 这样 的 导体台金系统的禁带宽度是其组成的函数 l，而且， 设计保证：(1)光电化学稳定性：(2)宽的光响应区域： 禁带宽度梯度化的Ⅲ一V族混合半导体构成的异质结 (3)能带连续变化，无突变的势垒，使光生载流子有 的电输运性能比突变型异质结好 在氧化物半导体 效分离．我们用溶胶凝胶法制备组成随薄膜深度变 方面 、Mishrna等人 16~8t的理论和实验研究显示 化的 TiVO2固溶体薄膜电极，并对其光 电化学性 TilPhO2固溶体的禁带宽度随其组成 而变化 但 质进行了研究 是，到 目前为止还未见对禁带宽度梯度化的氧化物 一 ■ J一 可见 一 一 ‘ 一 ‘ + 紫外光 | Vo 。 大 组蓝 组成连续变化 罔1 用禁带宽度为O．62eV的VO2和禁带宽度为3eV的TiO形成禁带宽度梯度化的 固溶体半导体的示意图 www．sclchlna．com 简 ~-E