ZnO导电类型和发光机理的新探索.pdfVIP

第四届全国ZnO学术会议 长春8月13．15日 ZnO导电类型和发光机理的新探索 傅竹西，徐小秋，孙利杰，施媛媛 中国科学技术大学物理系 目前一般认为ZnO的n性导电源于ZnO中的氧空位(Vo)，它的紫外发光来自自由激子 及其声子伴线的发光。本文的研究结果得出了不同的看法。大量实验结果表明，无论是ZnO的 n性导电处是，巨：的紫外发光都与ZnO中的锌填隙有关。 实验样品采用从美国KMT公司购买的ZnO单晶片，在800。C温度下氮气氛中热扩散掺Zn。 XPS测量结果指出，扩散后样品中Zn组分与O组分的比明显增加，说明有更多的Zn进入ZnO 中。测量室温下的PL光谱发现紫外光明显增强，同时可见光峰位移动；而霍尔测最数据表明样 品中的电子浓度增加，未作任何女卜珲的ZnO单晶的电子浓度为10油，在8000C温度下热扩散 zn后样品的电子浓度达到10懵。显然，这些变化都与样品中的过量锌有关。 样品中锌过量可能导致几种缺陷：Vo，Zni和Zno。虽然Vo是施主型缺陷，但它的离化能 很高，约1．0eV，常温下很难离化，应该对ZnO的n性导电没有太大