Ti—B4C反应路径分析.pdfVIP

t 第 36卷 第 8期 金 属 学 放 V01．36 NO．8 2000 年 8 月 ACTA METALLURGICA SINICA Augh t2000 Ti—B4c反应路径分析 壁垒堑 a里4-：, 曾照强 (北京航型霸两丽j北京100095)清(华大年再再磊 工程系，北京100084) 1m 1 摘 要 通过热力学计算，结合Ti-B—C的等温截面田分别莸得了Ti，B和C在 1600℃的化学势稳定田，在满足热力学和 质量守恒条件下利用化学势从高向低扩散的原理，预测了在 1600℃等温等压时Ti和 B4C之间发生化学反应时可能存在的反应 路径 利用扩散偶宴验证实了该温度条件下的反应扩散路径为：Ti／TiC ／TiB／TiB~／B4C 嚣 。文 唾 支蓊妻 …州 ANAI SiS OF REACTION PATH BETW EEN TiAND B4C G Jnnx／ [nstituteofAeronauticalMaterials．Beijing100095 { j ● MIA0 Hezhuo,zENG zhaoqiang DepartmentofMaterialsScienceandEngineering，TslnghuaUniversity：Beijing100084 Correspondent：TANGJianxin．死 (010)625666~$一5154．E-ma~l：jianxin．tang@blare Ⅱce?l M anuscriptreceived 1999一ll 29．inrevisedform 2000-02—23 ABSTRACT Thestability diagram ofchemicalpotentialforTi—B—C system at1600℃ wasca1． culatedusinga them lodynarⅡicmethodthroughTi—B—C isothermalphasediagram． Thepossible reactionpathbetweenTiandB4C at1600℃ hasbeengivenbyusingthestabilitydiargam andther- modvnaⅡcandmass—balancecondition．Thereaction diflusionpathdemonstratedbythediffusion coupleis：Ti／TiC ／TiB／TiB2／B4C． KEY W 0RDS diffusion，reactionpath．Ti．B4C 为获得高性能的高温结构陶瓷近年来发展了许多先 形，这表明TiBz—TiC陶瓷基复合材料是一种具有发展前 进的制造工艺，新型材料的成形与加工工艺相继出现，对 途的高温结掏陶瓷材料．从相图上看，TiB2和TiC的结 发展高新技术和改进传统产业结构提供了良好的物质基 合热力学上一直到2500℃都是稳定的．有研究表明，在室 础．一方面，新的烧结方法不断推广和应用，如热压烧结，气 温条件下T出2一TiC复合材料的硬度 (HV)为 23GPa， 压烧结以及热等静压烧结，基本解决了陶瓷材料的致密化 此值低于纯 TiC的27，5GPa和TiB2的28．5