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霍尔效应(两点式,回归法求斜率).pdf
半导体霍尔电压和霍尔灵敏度的测量
总分（ ）评卷人（ ）
大学物理实验考试试卷
姓 名： 院队别： 实验组别：
学 号： 完成日期： 时 间： 120 分钟 总 分： 100 分
题目：半导体霍尔电压和霍尔灵敏度的测量
仪器：霍尔效应测试仪、霍尔效应实验装置、数字万用表以及如干导线等。
要求：固定 Is（工作电流），取 I 分别为：0.200，…0.700A，作出V I 关系曲线；
M M
H
由图求出该半导体器件的霍尔灵敏度K （B与I的关系见线圈上的参数）。
H M
得分（ ）一、[实验原理] （20 分）
运动带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用引起偏转，导致在垂直电流和磁场的方向上产
生正负电荷的聚积，形成附加的横向电场，即霍尔电场。 Y
A C
l
X
电流I S 沿 X 方向，磁场B 沿 Z 方向。
d
Z
FE
V IS VH v -e b
霍尔器件的霍尔灵敏度：KH H Fg
I B
S
A C
在产生霍尔效应的同时，伴随着多种副效应产生附
加电压叠加在霍尔电压上，形成系统误差，即：爱廷豪森效应效应、能斯托效应、里纪—
勒社克效应和不等位电势差。根据副效应产生的机理，采用电流和磁场换向的对称测量法，
基本上能够把副效应的影响从测量的结果中消除。具体方法是保持I S B I M
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