霍尔效应理论发展过程的研究大学物理实验总结报告参考.pdfVIP

20 11 4 ( ) Apr. ，20 11 年 月 重庆文理学院学报 自然科学版 30 2 Journal of Chongqing University of Arts and Sciences (Natural Science Edition) Vol. 30 No. 2 第 卷 第 期 霍尔效应理论发展过程的研究 刘雪梅 ( ， 354300) 武夷学院电子工程系 福建 武夷山 ［ ］ ， ， 摘 要 以霍尔效应的发展过程为线索 从不同种载流子的经典霍尔效应的出发 系统阐述 、 、 、 了霍尔效应的原理 反常霍尔效应 整数量子霍尔效应 分数量子霍尔效应以及自旋霍尔效应 ， ． 理论的发展过程 同时介绍了我国在这方面研究的最新进展 ［ ］ ; ; ; ; 关键词 霍尔效应 载流子 反常霍尔效应 量子霍尔效应 自旋霍尔效应 ［ ］O47 1． 4 ［ ］A ［ ］1673 － 80 12 (20 11)02 － 004 1 － 04 中图分类号 文献标志码 文章编号 ——— ， ， 作为磁电效应的一种形式 霍尔效应 它 我们知道 半导体中有两种载流子即电子和 100 ． ， ， ， 的发现已有多 年了 在此期间 科学家们对 空穴 当半导体中主要的载流子为一种时 由于 ． 、 ， 其从来没有停止过研究 反常霍尔效应 整数霍 载流子浓度的不同 所产生的霍尔电场也有差 尔效应、 、 ． x ， z ， 分数霍尔效应 自旋霍尔效应等相继被 别 如果电流沿 轴方向 磁场沿 轴方向 对于 ， ． P ， 发现 并构成了一个庞大的霍尔效应家族 特别 型半导体 其中空穴所受到的洛伦兹力方向沿 · － y ， + y ; 是德国物理学家冯 克利青等人因发现量子霍 方向 所以产生的霍尔电场沿 方向 而对 1985 ， 尔效应而荣获 年度诺贝尔物理学奖 崔琦 N ， 于 型半导体 其中电子所受到的洛伦兹力方向 等人因发现分数量子霍尔效应和对其进行的研 + y ， － y ， 沿 方向 所以产生的霍尔电场沿