非晶硅太阳电池组件封装技术及可靠性研究.pdfVIP

壬， 1，臼 ， ／ 斗 彳丁袋 维普资讯 第l3卷 第2期 太 阳 能 学 报 VoI．13， No．2 1902年 4月 Apr．，19 日2 ACTA ENEROIAE SOLARIS SINICA i2s一 非晶硅太阳电池组件封装技术 及可靠性研究 争 林安中 赵续文 (北京 i磊总院_ o088) 摘 要 使用EVA材料及PVF复台膜层压封装的非晶硅太阳电池组件，室内光照及户外长期考核试验 表 明，电池组件性能的衰退主要发生在第一个月内，然后逐渐趋稳定。非晶硅太阳电池封 装 材料 垒部实现 了国产化 。 一 、 痢 茜 非晶硅太阳电池是～种薄膜电池，材料消耗少，工艺能耗低，降低成本的潜力很大。但 电池封装成本较高，约占总费用的1／3一l／2，所 以研究降低封装成本、保证封装质量具有重 要意义。湿气、盐雾、酸气、冷热应力等环境 因素对薄膜型太阳电池的影响比晶体硅太阳电 池要敏感得多，特别是非晶硅薄膜为亚稳态结构，稳定性方面 自然比晶体硅结构差，所以封 装性能的好坏耐非晶硅电池组件长期使用寿命的影响更明显。近几年国外 kW 缎非晶硅太阳 电池方阵的场试，充分说明了这～点 “。尤其要注意组件边缘的密封性能和对组件框架的绝 缘性能，以免产生 电弧 作用而引起 电化学反应，使 电池受到损坏。由于非晶硅太阳电池光 致衰退现象至今尚未彻底解决，特别对常规单结非晶硅太阳电池更是如此，因而要区分 出因 封装而造成的衰退影响将是困难的。非晶硅太阳电池的衰退可 以归因于以下几种 机 制；(1) 光致衰退，(2)扩散引起的衰退，(3)环境影响及应力变化引起的衰退，(4)释氢现象引起的衰 退a其中光致衰退是最主要的。几年前国外大部分厂家生产的非晶硅电池组件，一年内阳光 下场试的衰退率都在 20 一3O 左右0，经过大量的研究，现在非晶硅 电池的衰退率 已有所 下降∞。 二、工 艺 方 法 非晶硅太阳电池为集成型结构，它 由玻璃—透 明导电膜一pin层非晶硅一铝膜组成，玻璃为 受光面，用 EVA膜、PVF复合膜进行层压封装，然后用边缘密封胶组装边框，焊接引出导 线，粘接线盒，便完成组件封装和组装的垒过程 。层压封装的步骤是 将样品腔抽真空，以 肪止热熔的EVA肢产生气泡，然后依靠大气与真空的压力差作用于耐温橡胶隔板层，使压力 均匀地施于组件表面，再经5一l0分钟 150℃高温固化，使EVA结构中有机分子交联聚合，完 成全部层压固化程序 。 在实验早期，非晶硅电池的正负极引线焊点采用银膏粘接，经过加速考验，银膏在光照 维普资讯 2期 林安 中等 非晶硅太阳电池组件封袭技术及可靠性研究 下会产生龟裂、老化等现象，虽经层压封装保护，仍不能满足使用要求。后来采用新型可焊 接铝骥焊料来进行焊接，强度最高的焊料是 由北京有色金属研究院开发的，当焊解 面 积 为 1．3ram ×1．2mm时，可承受7．5kg的切 向负荷a 在封装材料方面使用过磁漆、室温固化硅橡胶 EVA骥及单层PVF膜、EVA膜及PVF 复合膜等，进行了对比实验。 组件边框采用经阳极氧化的铝合金框 。用硅橡胶对