LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究.pdfVIP

第47卷第 12期 电力 电子技术 Vo1．47，No．12 2013年 12月 PowerElectronics Dccember2013 LDMOS热载流子注入效应安全工作区的研究 马书娜 ，王少荣 ，张爱军 (华润上华科技有限公司 ，江苏 无锡 214061) 摘要 ：安全工作区(SOA)是 MOSFET器件设计 中的一个关键参数。传统 CMOS在衬底 电流．栅极 电压 曲线上只 出现一个衬底电流峰值 ，该峰值可直接反映出热载流子注入 (HCI)效应最强的位置 ，因此可 以容易地给出其 SOA；而对于横向双扩散 MOSFET(LDMOS)器件 ，由于 Kirk效应的发生 ，造成其衬底 电流峰值不明显 。此时的衬 底 电流 已经不能再完全反映HCI效应的强弱。单纯使用Hu模式或衬底 电流模式对SOA测试和分析都不合 适。针对发生严重 rk效应的LDMOS，此处提 出一套更合理的HCISOA测试方法 ，该方法既能节省测试时间， 同时准确性又高。 关键词 ：晶体管 ；安全工作区；热载流子注入 中图分类号：TN3 文献标识码：A 文章编号：1000—100X(2013)12—0011-02 StudyofHigh-carrierInjectionSafeOperationAreaforLDMOSDevice MAShu—lang，WANGShao—rong，ZHANGAi~un (CSMCTechnologiesCo．，Wuxi214061，China) Abstract：Safeoperationarea(SOA)isakeyparameterinMOSFETdevicedesign．FortraditionalCMOS，thereisan only one subtractcurrentpeak in subtractcurrent—gate voltage curve．The peak can directly reflecthte besthigh- carrierinjection(HCI)effectposition，SOitiseasytogiveitsSOA．Forlateraldouble-diffusedMOSFET(LDMOS)de— vice，hte peak ofsubtract currentis notobvious due to Kirk effect，SO subrtactcurrentcan notfully reflecthte strength oftheHCIeffect．HumodelorsubtractcurrentmodelisnotappropriateforSOA testandanalysiswhen purelyused．OnemorereasonableHCISOA testmehtod isshownofrLDMOS thseriousKirk effectwhich cansave testtimeand bemoreaccurate． Keywords：transistor；safeoperationarea；high—carrierinjection 1 引 言 2 现有 CMoSHCISoA测试方法 LDMOS是 目前广泛应用于高压集成电路高频 目前 CMOS工艺己极为完善，其可靠性的评 高压和低 电流领域的横 向短沟道多子器件 。在开 估测试方法也已成熟。在此先简单评述一下现有 关电源、电机驱动、工业控制等领域应用广泛。 CMOSHCISOA测试方法。JEDEC标准中HCI测 器件工作的可靠性是指器件 的各项要求参数