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LED 热隔离封装技术及对光电性能的改善 在传统的白光LED 封装结构中，荧光粉直接涂覆于芯片上面，工作时，芯片释放的热 量直接加载在荧光粉上面，导致了荧光粉的温升，使得荧光粉在高温下转化效率降低。而在 荧光粉与芯片之间引入一层低导热的热隔离层能够有效的阻止芯片的热量直接加载到荧光 粉上，降低了荧光粉层温度，使得白光LED 在大电流注入下都能保持较高的流明效率。除 了芯片释放的热量之外，涂覆的荧光粉受蓝光激发时，因荧光粉的转化效率尚未达到100%， 另外由于散射等其它损耗的存在，荧光粉颗粒本身也会有少量的热量释放，容易形成局域热 量累积，为此当荧光粉材料转化效率较低时，还需为荧光粉提供散热通道，防止荧光粉颗粒 局域热的生成。下面通过传统荧光粉涂覆方式和热隔离封装方式两组实验对比了解两种结构 中芯片和荧光粉的热相互作用。 1.LED 芯片对荧光粉的加热 为了评价LED 芯片对荧光粉热性能方面的影响，我们制作了两组白光LED 封装结构， 一组采用传统的荧光粉涂覆方式，另一组采用热隔离的荧光粉涂覆方式，图1 是该热隔离封 装结构的剖面制样图。 图1 传统白光LED 横截面图示(a)荧光粉热隔离封装结构(b)，h=1mm[14-16]. 荧光粉热隔离封装结构是通过荧光粉覆膜的方式实现的。荧光粉覆膜技术是我们提出 的一种新型荧光粉涂覆方法，即根据出光要求设计好荧光粉膜层的结构，在专用模具内完成 荧光粉膜层的成型，剥离后，将荧光粉膜层转移到LED 芯片上方，同时LED 芯片和荧光粉 膜层中间还有一层低导热系数的硅胶层。为了表明两种封装结构热性能上的差别，我们比 较了两种封装结构表面的温度分布图。图2 是两种封装结构在200 、350 和500mA 直流驱动 下表面IR Camera 测得温度径向分布。在200 mA 驱动电流下时，热隔离封装结构比传统封 装方式中心温度低1.6℃。在350mA 和500mA 注入电流下时，荧光粉层的温差分别达到了 8.5℃和16.8℃，并且在500mA 注入电流下时，传统结构荧光粉的表层最高温度已经达到 130.2℃。另外，热隔离封装结构整个荧光粉表层的温度都很均匀，而传统结构中荧光粉中 心温度较高，在大电流时尤为明显。 我们通过有限元模拟来分析封装结构中的参数变化对白光LED 性能的影响。结果表明， 可以通过封装结构设计及封装材料热导率调整来调控荧光粉层的温度。图3 是LED 热隔离 封装结构中的温度纵向分布，荧光粉层的温度通过引入的热隔离硅胶层大大降低了。 图2 传统结构和热隔离结构中荧光粉表面的温度曲线，红色为实验值，蓝色为模拟值[14] 图3 热隔离封装结构中，样品沿h2 方向的径向温度分布(h2=1mm) 综上所述，降低荧光粉层温度的有效办法是在芯片与荧光粉层之间引入低导热的热隔 离层，尤其对于更大功率的LED 器件而言，对荧光粉的热控制技术显得尤为重要。 2 ．荧光粉局域热效应 荧光粉层并不是具有均匀热导率的单一介质，而是由荧光粉颗粒与低导热的硅胶混合而 成，每颗荧光粉颗粒由硅胶包裹而成。我们的研究结果表明荧光粉颗粒在不同的转化效率下 (即不同的释热量)芯片和荧光粉的温场分布。在荧光粉转化效率高(80%)的情况下，荧光粉 的温度主要受芯片加热的影响。荧光粉距离芯片越近，温度越高，热隔离的措施能有效降低 荧光粉的温度。在荧光粉颗粒发热明显的情况下，由于包裹荧光粉颗粒是低导热率的硅胶， 荧光粉颗粒会形成局域热量，使得荧光粉颗粒的温度升高，甚至超过芯片的温度。而出现荧 光粉局域热量的条件是荧光粉的低转化效率，导致荧光粉释热大。 在实际的LED 封装结构中，荧光粉的转化效率高，荧光粉的温度主要是由于芯片的加 热作用，荧光粉与芯片直接有效的热隔离能明显降低荧光粉的温度。进一步降低荧光粉层的 温度可以通过提高荧光粉层的导热率来实现。 为了表明两种封装结构对白光LED 光色性能的影响，我们把LED 白光光谱中蓝光波段 (Blue)和黄光波段(Yellow)提取出来，以蓝光波段光谱和黄光波段光谱的积分量比例值(B/Y) 作为光谱评价依据。图4 表明的是电流从50mA 到800mA，两种情况下B/Y 值跟注入电流 的关系，B/Y 值的变化反映了白光LED 光色的变化，在图6 中，我们展示了两种结构中光 通量、色温(CCT)跟注入电流的变化关系。两种封装结构中，注入电流在达到300mA 以前， 两者光通量的值几乎没发生变化，随着注入电流的继续升高，热隔离封装结构显示了更好的