原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
第36卷，增刊 红外与激光工程 2007年6月
等离子体刻蚀过程中的FTIR监控技术
王巍1，昊志刚2，兰中文3，姬洪3
3．电子科技大学微电子与固体电子学院，四川成都610054)
应用于在电感耦合等离子体刻蚀机中进行的硅刻蚀工艺。文中对反应腔室腔壁状态对刻蚀过程的影
响，以及在硅晶片表面反应层的变化进行了详细的研究。实验表明：采用含F化合物对反应腔室进
行清洗会改变反应腔室的状态，在腔室内壁状态达到稳定之前会对刺蚀速率的一致性造成扰动。硅
片表面反应层中的化学组成变成了以CF为主的薄膜层，对刻蚀过程的有一定的抑制作用。
关键词I等离子体刻蚀； FTIR；MCT探测器；检测
中圈分类号：TP211+．6文献标识码tA
FTIR for
diagnosticsplasmaetchingprocesses
WANG
Weil,WU
Zhi．gan92，I_ANZhong．wen3，JlHon93
(1．Collcgeof蜘sEngineerittg，ChongqingUmvetsity
2Imftuk saenceand
Tec㈦o窖y 610054，China；
ofElectronicEngineenng，Umve嘶ofElectronicofChina,Chengdo
ofMicroelecmraics∞dsolid
3．Collese st出elecuomcs，u血v帅时ofElectronicScienceand钕hndogy
ofChina,Chengdu61t_I【】54，China；)
infrared
Abstract：Insitu measurementincludesFourier-transform
system infrared(FTm)
andMCT been onsilicon in
detector,has
spectrometer performed etchingprocessesinductivelycoupled
reactor．Theeffectofchamberwallstateon thereactionwhichis
plasma etchingperformance，andlayer
the the has
on surfaceofthesiliconwafer been
present duringplasmaetchingprocess，haveinvestigated．It
beenfoundthatthechambercleanwithfluorocarbon thechamberwall resultsin
plasmachanges state，and
the of reach山e
fluc
文档评论（0）