高取向度PZT铁电薄膜的研制.pdfVIP

材料工程990205 材料工程 JOURNAL OF MATERIALS ENGINEERING 1999年 第2期 No.2 1999 高取向度PZT铁电薄膜的研制 王西成　曹伟　田杰　莫小洪 ［摘要］　用无机盐替代锆的醇盐，通过Sol-Gel方法，合成均匀、稳定的PZT溶胶。 采用Pt/Ti/SiO /Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理，制备出沿（100）高度定向的 2 PZT陶瓷薄膜，此薄膜具有良好的铁电性能。 关键词　锆钛酸铅　溶胶-凝胶　铁电薄膜 Synthesis of Highly Oriented PZT Ferroelectric Thin Film Wang Xicheng　Cao Wei　Tian Jie　Mo Xiaohong (Beijing Graduate School of Wuhan University of Technology) ［Abstract ］　A zirconyl nitrate instead of Zr alkoxide has been used as the source of Zr element to get a transparent and stable PZT precursor solutions by sol-gel technology. The PZT sol was spin-coated onto Pt/Ti/SiO2/Si substrate. Meanwhile, lead-titanate (PT) film was as a interlayer film between PZT film and the substrate. After annealing by RTA method, high oriented texture with good electrical properties have been obtained in the PZT thin film. Keywords　lead-zirconate-titanate(PZT)　sol-gel　ferroelectric film 1　引言 　　在众多的铁电薄膜材料中，Pb(Zr Ti )O (PZT)陶瓷薄膜由于其优良的铁电性能而 x l-x3 成为制备非挥发性存储器等微电子器件的优选材料。为获得性能良好的PZT薄膜，国 ［1，2］ 内外做了大量工作 。Sol－Gel方法由于其工作温度低，工艺设备简单，能在分 子水平上精确控制膜的化学组成，易于制备大面积薄膜等优点而被广泛采用。采用无 ［2］ 机盐代替锆的醇盐引入锆 ，会带来诸如均匀、稳定的溶胶不易合成，烧结温度过 高（＞850℃），因而导致PbO组分大量挥发、性能劣化的不良后果。此时的Sol-Gel PZT薄膜制备方法需要加以改进。再则，为使PZT薄膜具有高性能、长寿命，制备高取 向度的PZT薄膜已成为本领域的努力方向。 　　本研究用ZrO(NO)*3H O替代锆的醇盐及快速热处理（RTA）工艺，并引入PT 3 2 2 file:///E|/qk/clgc/clgc99/clgc9902/990205.htm（第 1／6 页）2010-3-22 16:17:11 材料工程990205 (PbTiO)过渡层，实现了均匀、稳定PZT溶胶的合成和PZT薄膜低温烧结的目标，并且 3 获得了具有单一钙钛矿晶型、沿（100）方向高度取向、具有良好电性能的PZT陶瓷薄