氮化镓缓冲层的物理性质.pdfVIP

　第 20 卷第 8 期 半　导　体　学　报 . 20, . 8 V o l N o 　1999 年 8 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S A ug. , 1999 氮化镓缓冲层的物理性质 刘祥林　汪连山　陆大成　王晓晖　汪　度　林兰英 ( 中国科学院半导体研究所材料科学开放实验室　北京　100083) 摘要　用金属有机物气相外延( ) 方法在蓝宝石衬底上生长了不同厚度和不同退火过程 M OV PE 的氮化镓(GaN ) 缓冲层, 以及在缓冲层上继续生长了GaN 外延层. 研究了这些缓冲层的结晶 学、表面形貌和光学性质以及这些性质对 GaN 外延层的影响. 提出了一个模型以解释用 M OV PE 方法在蓝宝石衬底上生长 GaN 外延层时存在一个最佳缓冲层厚度这一实验结果. : 8115 , 8130 , 8140 PACC H H G 1　引言 GaN 及其固溶体 InGaA lN , 它们都是直接带隙材料, 室温下禁带宽度从 19eV 到 [ 1 ] [ 2, 3 ] 62eV 可调 , 是非常有用的光电子材料 . 它们还具有耐高温、耐腐蚀、饱和电子速率大、 [ 1 ] 热导性好等特点 , 在制作高温和大功率以及在恶劣环境下工作的电子器件时也有广泛的 [ 4～ 6 ] [ 7 ] 应用背景 . 由于氮化物的熔点高, 离解压大 , 体单晶制备十分困难, 这使得 GaN 的外 ( ) 延生长主要在晶格失配很大的异质衬底 如蓝宝石等 上进行. 在蓝宝石上生长 GaN 材料, 一般须先在低温下生长约 20nm 的 GaN [ 8, 9 ] 或约 50nm 的A lN [ 10～ 13 ] 缓冲层, 然后经过退火 工艺, 再在缓冲层上正式生长 GaN 外延层等过程. 无论是 GaN , 还是A lN 缓冲层, 其厚度对 [ 8, 10 ] 外延层的电学性质以及表面形貌都有非常重要的影响 . A kasak i 等人仔细研究了A lN 缓冲层的作用[ 14 ] , 发现低温生长的A lN 缓冲层结晶质量 很差, 几乎是非晶, 均匀地覆盖在衬底表面; 退火后非晶A lN 结晶化, 变成高度取向化的多 ( ) 晶微粒 微晶 ; 这些微晶为高温生长 GaN