半导体激光器的进展.pdfVIP

第29卷　 第5期　　　 　　　　　　　　　激 光 与 红 外 . 29, . 5 V o l N o 　 1999年10月　　　　 　　　　　　　 　 　 , 1999 LA SER IN FRA R ED O ctob er 半导体激光器的进展 The D evelopm en t of Sem icon ductor L a sers 王　莉 　　张以谟　　吴荣汉　　余金中　　　 ( ) 中国科学院半导体研究所, 北京 100083　 天津大学精密仪器系 　 摘　要　文中概述了近年来国际上半导体激 及器件的研究蓬勃开展, 成为半导体领域的 光器的发展趋势及各种不同的半导体激光器 最大热点之一[ 1, 2 ] 。 的具体技术指标。 1998年 日本 日亚化学工业公司的N ak a 关键词　激光技术, 半导体激光器, 分布反 m u ra 报告了经过技术改造后 的新型激光 馈, 量子阱, 垂直腔面发射。 器[ 1, 3 ] 。他采用双流、低压M OV P E 的外延层 Abstract 　 In th e p ap er , th e au tho r de scr ib ed th e 生长 (EL O G) 工艺将 GaN 层生长在蓝宝石 deve lopm en t t ren d s o f sem icon du cto r la ser s, som e 衬底上, 待芯片生长结束后再将蓝宝石衬底 im po r tan t data are p re sen ted. 去除, 这样便于形成解理面并降低器件热阻, Keywords　la ser techno logy, sem icon du cto r la ser , 因而极大地改善了器件寿命。该 EL O G 技术 D FB , QW ,V C SE. 可以将 GaN 层的缺陷水平降低几个量级达 8 10 - 2 到10 ～ 10 cm 。其器件结构采用调制掺杂 1　 - 族氮化物材料激光器 双量子阱脊形波导超晶格结构。它由多于720 由于短波长蓝光发光器件在光存贮、全 个 层的 、 、 外延 M OV P E GaN A lGaN In GaN 色光显示等领域的巨大潜力和市场应用前 层组成。详见表1 景, 引起人们的极大兴趣。这使 GaN 系材料