缺陷富勒烯C分子器件的电子输运研究加.pdfVIP

纳米器件与技术 NanoelectronicDevice Technology 缺陷富勒烯C加分子器件的电子输运研究 张鸿宇 ，王利光 ，李 勇 ，郁鼎文2 (1．江南大学 理学院，江苏 无锡 214122； 2．清华大学 摩擦学国家重点实验室 微纳制造分室，北京 100084) 摘要：运用基于第一性原理密度泛函理论 (DFT)的非平衡格林函数 (NEGF)方法，对正十二 面体富勒烯 C加分子及其有缺陷的C∞分子进行了电子输运性质的研究。通过计算得出了模拟的 电子透射谱线。通过比较不同缺陷的分子的传导特性 ，获得 了C加的电子输运特点。通过比较发 现，几乎所有情况下缺陷器件 的传输概率在电子能量大于0．52eV时都大约是 10。，几乎没有电 子透过，所以这种器件可以作为一种响应很好的电子开关；而器件 中原子的缺失并没有造成电子 传输路径的中断，在大多数情况下，在原子缺失处反而产生更多的传输路径，通路的增多使得器 件传输能力得到提高。 关键词：富勒烯 C加；分子器件 ；密度泛函理论 ；非平衡格林函数；电子输运 中图分类号 ：TN304．18；TN303 文献标识码 ：A 文章编号 ：1671—4776 (2008)02—0069—05 StudyonElectronicConductanceofC2IDFullerencewith Defect ZhangHongyu，WangLiguang，LiYong，YuDingwen (1、CollegeofScience，~angnanUniversity，Wuxi214064，China；2．DivisionofMicro／NanoManufacturing， StateKeyLaboratoryofTribology，TsinghuaUniversity，Beijing100084，China) Abstract：Densityfunctionaltheory(Dr33 andnonequilibriumGreenSfunctionbasedontheFirst Principle wasused for analyzing the electronic structure and electronic transmission through C加 fullerene and defected C加 molecule． The electronic structure and the transmission spectra were calculatedout．BycomparingtheconductancecharacteristicsofthedifferentdefectedC加fullerene，the preliminary conductancepeculiaritiesofC加 fullereneareobtained．Attheelectron energy morethan 0．52eV．thefullerenceswithdifferentdefectshavelow transmissonprobabilityofabout10一。inalmost allthecasesandfew electron through，asaresultthatC加 fullerencecanbeusedasagoodelectron switch．Theconductanceisntinterruptedwiththeabsenceofsomeatomsinthedevice．Inmostcases， moreelectrictransmissionpathsaregeneratedattheplacewheretheatomsaretakenoff,atthesame time，theconductancecapabilityisimprovedbytheincrementoftheelectrict