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反应烧结制备AlN陶瓷的机理研究.pdf
第 25 卷 第 8 期 武 汉 理 工 大 学 学 报 V ol. 25 N o. 8
2003 年 8 月 JOURNAL OF W UHAN UN IVERSITY OF TECHNOLOGY A ug. 2003
反应烧结制备A lN 陶瓷的机理研究
1 1 2 3
戴 英 , 裴新美 , 夏古俊 , 南策文
( 1 武汉理工大学材料科学与工程学院, 武汉 430070; 2 重庆腾辉集团, 重庆 400010; 3 清华大学, 北京 100084)
摘 要: 以 、 粉为原料, 采用反应烧结技术制备 陶瓷。用 、 和 等手段分析了反应烧结过
A l A lN A lN XRD SEM T G D SC
程, 提出了反应烧结机理。A l 粉的氮化在不同温度范围受不同过程控制, 为逐步氮化机制,A l 的颗粒尺寸影响着氮化行
为。
关键词: ; 反应烧结; 陶瓷; 烧结机理
A lN
中图分类号: 174. 6 文献标识码: 文章编号:(2003)
T A
( ( ) )
陶瓷具有高热导率 理论值为 320 · 、低介电常数、高硬度等优点, 且不受熔融金属侵蚀、
A lN W m k
抗热冲击性好, 无论是作为功能材料还是结构材料, A lN 都是很有前途的候选材料。但A lN 为共价键化合
物, 很难烧结, 目前限制其应用的关键在于制备成本过高, 因此寻求性能价格比高的制备方法成为A lN 广泛
应用的前提。反应烧结是一种很有希望的技术, 具有原料成本低、烧结温度低、可实现“近净尺寸”烧结等优
( ) ( ) [ 1 ]
点。如反应烧结碳化硅 RBSC 、反应烧结氮化硅 RBSN 已在工业中获得了成功的应用 , C laussen 等利用
( ) [ 2 ] (
反应烧结氧化铝 技术制备出性能良好的 2 3 基材料 , 提出了反应烧结氮化铝
RBAO A l O reaction bonded
, ) [ 3 ] , 用该技术制备出 、 - 2 3 等陶瓷[ 4, 5 ]。为进一步优化 技术, 对
alum inum nitride RBAN A lN
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