第5章.微机的存储器.pptVIP

5.3.3 EPROM/EEPROM常用芯片举例 1. Intel 2716 1）Intel 2716的引脚与内部结构 2716 EPROM芯片的容量为2K×8位，采用NMOS工艺和双列直插式封装，其引脚、逻辑符号及内部结构见图5.14（a）、（b）及（c）。 2）2716的工作方式 2716的工作方式见表5.3所示： 2．Intel 2732芯片 2732 EPROM芯片的容量为4K×8位，采用HNMOS-E（高速NMOS硅栅）工艺制造和双列直插式封装。 2732 EPROM芯片也是24条引脚，与2716相似，只是将其21引脚由VPP 改为A11，20引脚由改为与VPP共用，而将18引脚由PD／PGM改为，其他引脚功能不变。即： A11～A0：12条地址输入线，可寻址2732芯片内部的4K存储单元。 O7～O0：8位数据输入、输出线，都通过缓冲器输入、输出。 此外有2条控制线。CE与OE均为低电平有效。 VPP：编程电源。VPP与共用一条引脚，在编程时应输入规定的编程电压，一般VPP有12.5V和＋25V两种。 VCC：工作电压，为＋5V。 GND：地线。 2732 EPROM的工作方式如表5.4所示。 与2732属于同一类的常用EPROM芯片还有2764、27128、27256、27512以及271024等，它们的内部结构与外部引脚分配基本相同，主要是存储容量逐次成倍递增为4K×8位、8K×8位、16K×8、32K×8位、64K×8位以及128K×8位等。 3. EEPROM芯片 常用的EEPROM芯片有2816/2816A、2817/2817A/2864A等。其中，以2864A的8K×8b的容量为最大，它与6264兼容。其主要特点是能像SRAM芯片一样读写操作在写之前自动擦除原内容。但它并不能像RAM芯片那样随机读写，而只能有条件地写入，即只有当一个字节或一页数据编程写入结束后，方可以写入下一个字节或下一页数据。在EEPROM的应用中，若需读某一个单元的内容，只要执行一条存储器读指令，即可读出；若需对其内容重新编程，可在线直接用字节写入或页写入方式写入。 5.5 内存条技术的发展 内存历来都是系统中最大的性能瓶颈之一，因此，对内存技术的改进一直备受用户和开发者的关注。 目前广泛使用的是内存条技术。较为常用的内存条有以下几种： 1．SIMM内存 最初出现在80286主板上的“内存条”，采用的是SIMM（Single In-lineMemory Modules，在1988～1990年，PC 技术进入32 位的 386和486时代，推出了72线 SIMM内存。图5.23与图5.24分别给出 了30线 SIMM与72线 SIMM内存的式样。 2．EDO DRAM内存 外扩充数据模式动态存储器（Extended Date Out DRAM，EDO DRAM）是1991年到1995年之间盛行的内存条，其速度比普通的DRAM快15～30%。工作电压为一般为5V，带宽32位，主要应用在当时的486及早期的Pentium计算机中（如图5.25）。 随着EDO DRAM在成本和容量上的突破与制作工艺的飞速发展，当时单条EDO DRAM内 存容量已达到4 ～16MB 。由于 Pentium 及更高档CPU数据总线 都是64位甚至更高，EDO RAM与 FPM RAM都必须成对使用。 3．SDRAM内存条 自Intel Celeron系列以及AMD K6处理器以及相关的主板芯片组推出后，EDO DRAM内存性能再也无法满足需要，于是，内存又开始进入SDRAM时代。 SDRAM的带宽为64位。在性能方面，由于其输入输出信号保持与系统外频同步，因此速度明显超越EDO内存。 4种SDRAM内存条样式如图5.26-5.29. 5.5 几种新型的半导体存储器 20世纪90年代中后期以来，计算机及其相关设备的技术得到了迅猛发展，但作为重要组件之一的内存的发展相对就比较缓慢了。一般286、386和486微机采用的是单面内存(SIMM)，总共仅有30线，这些单面内存只有32位的内存总线带宽，容量从256KB到4MB不等。但当内存的标准总线拓展到64位时，这种单面内存就必须成对地安装才能使用。换句话说，如果要安装4MB内存，就必须使用两条2MB的单面内存。 4．Rambus DRAM内存条 SDRAM PC133内存的带宽可提高带宽到1064MBps，但仍不能满足后来CPU主频的提升需求，此时，Intel与Rambus联合推出了Rambus DR