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晶化温度和浆料浓度对0-3法制备 PZT厚膜应力的影响研究 任伟李俊 红 声学微机电系统实验室 摘要：PbZr0.52Ti0.48O3(PZT)压电厚膜作为一种重要的换能材料，不仅要具有良好的压电性 能还要有较低的膜层应力。但目前有关PZT厚膜应力分析的研究很少。论文采用0-3法制备 了PZT厚膜，并研究了晶化温度和浆料浓度对所制备PZT厚膜应力大小的影响。结果表明： PZT厚膜应力为100-1000Mpa左右的张应力；随着晶化温度的升高，PZT厚膜的热应力逐渐 增大，晶化温度从600℃升至700℃应力增加约3.5倍;随着浆料粉体浓度的增大，PZT厚膜 的应力变小，浓度从1∶4.5升至1∶3.5时应力约减小7倍。采用有限元方法对PZT厚膜的应力 与晶化温度间的关系进行了模拟，模拟结果与实验结果相一致。 关键词：PZT压电厚膜；应力；浆料浓度；晶化温度；有限元法 中国科学院声学研究所第四届青年学术会议论文集 对于浆料浓度对厚膜应力影响的实验，本论文中采用浓度分别为1：3．5、l：4、l：4．5 的三种浆料，晶化温度为650℃，甩胶3次。 本论文采用BGS643l型电子薄膜应力分布测试仪来测试PZT厚膜的应力，采 IQ型台阶仪来测试PZT厚膜的厚度。 用Alpha-Step 2．2有限元模拟 12．0)对PZT厚膜的热应力随晶化温度的变化进 使用有限元(FEM，ANSYS 行了模拟，以验证实验中所得的晶化温度对PZT厚膜应力的影响。由于对胶体的 收缩过程很难模拟，所以只研究了降温时产生热应力的情况。 使用了PLANE 只有基体Si和PZT厚膜(Pt／Ti很薄，影响可忽略)的两层圆柱体，模型中基体选 取中10000IJm×300肛m的圆柱形试样，由于基体试样和对流换热都具有轴对称性， 可将模型简化为二维轴对称问题。建模时，取膜厚为3．1中浆料浓度为l：4的厚膜 的膜厚(经测试其膜厚为0．6um)。降温过程中，在基体和厚膜的上方、下方、外 侧加对流换热，中心轴一侧由于抽象成了理想的二维轴对称模型，所以限制了轴 数如表l所示，PZT厚膜的热膨胀系数随温度变化如图116J所示。 表1PZT厚膜及其基底Si的各项参数 竺竺竺星薹三兰竺兰竺鍪兰。鲨曼!墨!。!墨， Si 190 0．278 2．6x10石 148 2330 700 PZT 72 0．35 见图l 1．05 7550 837 3结果与分析 3．1晶化温度对PZT厚膜应力的影响 因为同种浓度浆料所测得的膜厚基本相同，浆料浓度为l：4．5的厚膜的厚度均 约0．51am，浆料浓度为1：4的厚膜的厚度均约0．61am，所以对于同种浓度的厚膜不 用考虑厚度的影响，则PZT厚膜平均应力随晶化温度变化如图2所示。 由图2可以看出，在晶化温度600℃至700℃之间时，厚膜的应力为张应力， 大小基本在108．109Pa的量级，不同浓度的PZT厚膜的应力均随晶化温度的升高而 增大。晶化温度从600℃升至700(2，厚膜的张应力增加约3．5倍。 PZT厚膜应力来源于烧结过程中的升温及降温阶段。在升温阶段，湿膜在加 热的过程中，由于有机溶剂的挥发及聚合物网络的燃烧分解，膜的体积不断缩小； 而硅片在升温过程中基本没有物质损失，由于受热，所以其体积一直在膨胀，这 样膜的收缩不但要受到基底的限制，还受到反向的拉扯，所以导致了PZT膜张应 力的产生，如图3(a)所示。降温阶段，结晶处理完后，硅片从炉中取出空冷， ·—448—— 超声学 图1PZT压电厚膜热膨胀系数 图2 PZT厚膜热应力随晶化温度的变化 mf旗蜮球獬产生张膨力 由，=热腻柬}晦产生亍K应力 口腹 口基底 口月煞 口摹底 (a) (b)