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金属前介质层(PMD)
金属间介质层(IMD)
W塞 (W PLUG)
钝化层(Passivation)
acceptor 受主,如B,掺入Si中需要接受电子
Acid:酸
actuator激励
ADI After develop inspection显影后检视
AEI After etching inspection蚀科后检查
AFM atomic force microscopy 原子力显微
ALD atomic layer deposition 原子层淀积
Align mark(key):对位标记
Alignment 排成一直线,对平
Alloy:合金
Aluminum:铝
Ammonia:氨水
Ammonium fluoride:NHF
Ammonium hydroxide:NHOH
Amorphous silicon:α-Si,非晶硅(不是多晶硅)
amplifier 放大器
AMU 原子质量数
Analog:模拟的
analyzer magnet 磁分析器
Angstrom:A(E-m)埃
Anisotropic:各向异性(如POLY ETCH)
Antimony(Sb)锑
arc chamber 起弧室
ARC: anti-reflect coating 防反射层
Argon(Ar)氩
Arsenic trioxide(AsO)三氧化二砷
Arsenic(As)砷
Arsine(AsH)
ASHER 一种干法刻蚀方式
Asher:去胶机
ASI 光阻去除后检查
ASIC 特定用途集成电路
Aspect ration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)
ATE 自动检测设备
Back end:后段(CONTACT以后、PCM测试前)
Backside Etch 背面蚀刻
Backside 晶片背面
Baseline:标准流程
Beam-Current 电子束电流
Benchmark:基准
BGA ball grid array 高脚封装
Bipolar:双极
Boat:扩散用(石英)舟
BPSG 含有硼磷的硅玻璃
Break 中断,stepper机台内中途停止键
cassette 晶片盒
End Point 蚀刻终点
e-shower 中性化电子子发生器
ET etch 蚀刻
Exhaust 排气(将管路中的空气排除)
Exposure 曝光
extrantion electrode 高压吸极
FAB 工厂
fab:常指半导体生产的制造工厂。
FIB focused ion beam 聚焦离子束
Field Oxide 场氧化层
filament 灯丝
film:薄膜,圆片上的一层或
多层迭加的物质。
flat aligener 平边检测器
flat:平边
flatband capacitanse:平带电容
flatband voltage:平带电压
Flatness 平坦度
flow coefficicent:流动系数
flow velocity:流速计
flow volume:流量计
flux:单位时间内流过给定面积的颗粒数
Focus 焦距
forbidden energy gap:禁带
Foundry 代工
four-point probe:四点探针台
FSG 含有氟的硅玻璃
functional area:功能区
Furnace 炉管
gate oxide:栅氧
glass transition temperature:
玻璃态转换温度
GOI gate oxide integrity 门氧化层完整性
gowning:净化服
gray area:灰区
gyro drive 两方向偏转
hard bake:后烘 ,坚烘,soft bake (软烘)
HCI hot carrier injection 热载流子注入
HDP:high density plasma
高密度等离子体
heat exchange 热交换机
High-Voltage 高压
host:主机
Hot bake 烘烤
hot carriers:热载流子
hydrophilic:亲水性
hydrophobic:疏水性
pn junction n:pn结
Pod 装晶舟与晶片的盒子
Polymer 聚合物
POR Process of record
post accel 后加速器 P
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