EMCCD工作原理及性能分析.pdfVIP

E M C C D 工作原理及性能分析 摘要：介绍了电子倍增电荷耦合器件（EMCCD）的结构和工作过程，分析了影响倍增增益的因素，同时 对噪声因子进行介绍。通过与其他CCD进行比较，EMCCD有优越的信噪比和量子效率。 关键词：电子倍增电荷耦合器件（EMCCD）；结构；工作过程；噪声因子 中图分类号：TP212.14 文献标识码：A 文章编号：1006-883X（2009）05-0024-05 韩露 熊平 一、引言 当今影响图像传感器灵敏度大小的最大因素已经不是暗电流的大小，而是电荷检测放大器的噪声，特别是 当传感器工作在低温或应用了可有效的减小暗电流的技术。减小电荷检测放大器噪声的办法很多，电子倍增 电荷耦合器件（ ）就是其中一种。 Electronic Multiplying Charge Coupled Device,EMCCD EMCCD 是一块基于硅的半导体芯片，具有二维矩阵的光电传感器或像素。EMCCD 技术，有时也被称 作“片上增益”技术，是一种全新的微弱光信号增强探测技术。而“片上增益”这一功用的实现就是在移位寄存 器的后面加了增益寄存器。该寄存器可以使信 号在噪声加入前就被倍增到一定的程度，使放 大器的读出噪声并不能影响信号的质量，或者 成像区 说减小对信号的影响。 二、EMCCD 的结构 存储区 EMCCD 的成像区、存储区和读出寄存器 电荷检测节点 都和传统帧转移 CCD 结构相同，但是在读出 读出放大器 寄存器和输出放大器间多出了一串增益寄存 读出寄存器 增益寄存器 器结构[1] （如图 所示）。其增益寄存器电荷 1 转移过程如图 2 所示，其中两个电极（Ф1 和 图 1 EMCCD 的结构示意图 Ф3 ）由标准幅值时钟驱动（约 10V），但另 外一个电极Ф2 被两个电极Ф2 和Фdc 所取代。 Ф3 Ф1 Фdc Ф2 Ф3 Ф1 Ф3 Ф1 Фdc Ф2 Ф3 Ф1 Ф2 加的电压远比仅仅用于转移电荷的电压高 很多（约 40-50V ），而在Ф2 前的 Фd 的偏置 是一个小的直流电压（约 2V ）。由于巨大的 X 电压差，在 Ф2 和 Фdc 间产生巨大的电场强度 足以使电子在转移过程中发生“撞击离子化效 Z 应”，产生新的电子，即所谓的倍增或者增益。 一般要求，倍增寄存器中倍增单元的数目是 图2 一个倍增单元的电荷转移 24 传感器世界 2009.05 Technology Application 输出寄存器单 过剩电荷就会流向排沟区。 Ф1 ФDC Ф2 Ф3 Ф1 元数目的整数 当所有的电荷都转移到高场区并且倍增后，电荷向下一 倍。这个整数可 个电极转移。EMCCD 的驱动时钟波形如图 6