基于HfO2的阻变存储器抗辐照特性研究.pdfVIP

2013年全国博士生学术论坛一电子薄膜与集成器件 基于Hf02的阻变存储器抗辐照特性研究 胡绍刚D+张兴尧2’顾野D 1)(电子科技大学，微电子与固体电子学院，成都610054) 1) 2)(中国科学院新疆理化技术研究所，乌鲁木齐83001 摘要：随着半导体技术的不断发展，晶体管的尺寸不断缩小，在不久的将来将会达到极限，传统的浮栅 型存储器将会遭遇巨大的瓶颈。阻变存储器具有作为下一代存储器的巨大潜力。阻变存储器的一个重要运用是 在空间射线环境下。本文研究了一种基于Hf02的阻变存储器的伽马辐照总剂量效应，实验结果表明该器件具有 良好的抗伽马辐照特性。总剂量为20Mrad(Si)的伽马辐照后，所研究的器件都能正常工作．但是擦除和编程电 压降低。高阻态和低阻态的阻值增大。因为该器件是双极型的，擦除和编程电压稍微降低并不会对该器件应用 造成影响。高阻态阻值的增大不仅不会使得存储的数据丢失，反而使得存储窗口增大。低阻态的增大有可能使 得存储的数据丢