SiC晶须制备方法研究进展.pdfVIP

2010．No．9 陶瓷 SiC晶须制备方法酮究进展+ 郝 斌 (唐山学院环境与化学工程系 河北唐山063000) 摘要碳化硅晶须的制备已有众多研究。目前，国内制备SiC晶须的A法主要uJ分为两大类：气相反应法和固体材料 法，每种制备方法都有其各自的特点。本文重点介绍了这两种制备方法的合成机理，以及相关制备方法取得的一些实验 研究成果。 关键词 碳化硅品须制备方法实验成果 中图分类号：TQl74．75文献标识码：A文章编号：1002—2872(2010)09—0011—03 ofSiliconCarbideWhisler Preparation the ofEnvironmentalandChemical SongYan，HaoBin(TangshanCollegeDepargment 063000) for Abstract：Numerousresearchesthe ofsiliconcarbidewhiskerhavebeencarriedout．At preparation present，theprepa— rationmethodsofsiliconcarbidewhiskerofinterior includetwo reactionmethodandsolidmaterial mainly aspects：vapour method．Eachmethodhasitsown of characteristics．The thesetwokindsofmethodsandsome syntheticprinciple experi— mentsachievementswhichbeenobtained methods inthiS have relatedpreparationareintroduced by paper． words：Siliconcarbide achievements Key whisker；Preparation method；Experiment 碳化硅的硬度高，耐磨性能好，并有抗热冲击性、 强度和硬度方面都会有很大改善。SiCw已经广泛应 抗氧化性能好等特点，是非常重要的研磨材料‘1|。碳 用于国防、航窄、电子工业、化学工业、能源等领域，它 化硅晶须(SiCw)是一种直径为纳米级至微米级的具冈其优越的性能倍受人们的青睐。 有高度取向性的短纤维单品材料，缺陷极少，其强度和 模量接近晶体材料的理论值。SiCw的密度为3．21g／ 1 SiCw的制备 100 cIIi，熔点大于2700℃，抗拉强度为2MPa[2]。 SiCw在导热性、热膨胀、耐压性以及导电性方而具有 SiCw的晶体结构类似于金刚石，有六方晶系(a 一系列优点。因此，SiCw以其低密度、高熔点、高强 型)和体方晶系(p型)两种晶型结构。B制各方面性能 度、高模量、低热膨胀牢及耐腐蚀等优良特性成为各种 优于0I型，如表l所示‘3|。 先进复合材料的首选。用SiCw增强、增韧的材料，在