二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究.pdfVIP

张军峰等 　二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究 二氧化硅高阻隔薄膜制备的质谱诊断及性能研究 张军峰 , 陈 强 , 张跃飞 , 刘福平 (北京印刷学院 印刷包装材料与技术北京市重点实验室 , 北京 102600) ( ) 摘要 : 采用 40k Hz 中频脉冲电源 ,利用电容耦合等离子体增强化学气相沉积 P ECVD 技术 , 以六甲 ( ) 基二硅氧烷 HMD SO 为单体 、氧气为反应气体 ,氩气为辅助气体 ,在 P E T 薄膜表面沉积应用于透明高阻 隔包装的氧化硅薄膜 ,并对其进行研究 。为了了解氧化硅的形成机理 ,通过四极杆质谱仪对等离子体放电 的气相中间产物及活性粒子进行了原位检测 ;而通过傅立叶变换红外光谱仪 ( F TIR) 及原子力显微镜 (A FM) 对沉积薄膜进行化学组成及表面形貌分析表征 ,探讨了沉积过程中等离子体气相粒子的产生和反 应对薄膜特性的影响 。 关键词 : 氧化硅 ; 质谱 ; 透氧率 ; 原子力显微镜 中图分类号 : TB43 ; TB484 . 3 　文献标识码 : A 　文章编号 : 100 1 - 3563 (2008) 10 - 003 1 - 02 D i a gn osis a n d Ch a r act eriz at ions of SiO x Ga s B a r rier Fil m by M a ss Sp ect r om et er Z H A N G J unf eng , C H E N Qi ang , Z H A N G Yuef ei , L I U F up i ng (Beij ing Key L aboratory of Plasma Physics and Mat erial s , Beij ing In stit ut e of Grap hic Communication , Beij ing 102600 , China) Abst r act : Wit h carrier gas O2 , dilut ed ga s Ar , and monomer hexamet hyldi siloxane ( HMD SO) t he films were p rep ared in cap acitively coup led p la sma . The charact erization of SiOx film depo sit ed on P E T sub st rat es by p lasma enhanced chemical vapor depo sition ( P ECVD) wit h 40k Hz midf requency p ul se power source a s a t ran sp arent barrier layer was investigat ed . The int ermediat e p recur sor and reactive sp ecies or molecules were det ect ed insit u by mean s of quadrupole mass sp ect romet er . The compo sition and surface topograp hy of t hin film s were al so inves