噪声与低噪声的探讨.pdfVIP

噪声与低噪声设计的探讨(上篇) 这是一篇由两部分组成的连载文章的第一部分，介绍了一些基本 概念，以便于你着手考虑低噪声设计。 要点 ● 要将器件噪声、失真和干扰信号区分开来。它们各有自 己的来源、预防措施和补救措施。 ● 有源器件和电阻器都有多种噪声分布。要使自己熟悉各 种噪声源，以及引起噪声的电路运行参数。 ● 在许多应用系统中，信号的源阻抗可以确定评估噪声幅 度的背景。 ● 如果把一些可以换算的数值记忆在脑海里，你就可以随 手对热噪声进行快速而准确的估算。 噪声是许多信号处理系统的基本制约因素。同样，它是许多 电子设计，特别是接口电路的主要制约条件。在测试与测量、医 学成像和高速数据通信等方面的行业趋向都需要越来越高的信 息密度。与此同时，半导体工艺的进步能实现更高的数据处理速 度和功能密度，但却要降低工作电源电压，由此降低信号幅度。 结果是，加大了系统设计对模拟前端噪声性能进行管理的压力。 系统地探讨像噪声这样繁杂的课题是件难办的事情，而且不 是几页篇幅就可以说得清楚的。EDN 为了努力扩展这一讨论的 范围，请几家在低噪声器件和电路设计方面具备专业知识的半导 体制造厂提供相互关联的应用说明和技术文章。这些资源都能在 EDN 网站的模拟技术资源部分找到。这些相关信息的集合就 可以作为进一步了解这一课题的动态信息来源。 如果你自己对这一课题进行研究，那你就会发现，许多文献 资料把所有不需要的信号（来自外部的和存在于电路内部的）都 归入噪声这一大类。但是设计师对外部和内部这类噪声采取的预 防和补救措施则是大不相同的。你不能忽视任何一类噪声，但本 文着重讨论信号路径内部的噪声源。也就是说，良好的低噪声系 统设计需要充分考虑电路工作环境内的干扰。（见附文《外部因 素》）。 随机事件，可预测的形状 电子元件通过不同的噪声源机制产生三种噪声谱的组合。各 个噪声源项分别表示平带噪声、1/f 噪声或 1/f2 噪声： 式中， pn(f) 是噪声源的功率谱密度——即中心频率为 f 的 1Hz 带宽的平均功率，c 是恒定幅度（参考文献 1 ）。 为了不与噪声谱的形状相混淆，给出的功率谱密度是一个单 位为瓦/赫的函数，从而可以通过求某个带宽内的密度积分，计 算出某一频带内的 rms 噪声功率： 然而，大多数有源电路都是将信号作为电流或电压来处理 的。例如，双极晶体管是跨导器件：它产生的输出信号电流是与 输入信号电压相对应的。为了能对信号和噪声进行快速比较，一 般都用每根赫的电压或每根赫的电流来表示噪声谱密度。 在产生这三种常见噪声谱的机制中，最常见的机制产生平带 （Flatband）噪声，也称白噪声，因为噪声功率是均匀地分配在 整个频谱范围内，就像白光均匀分布在可见光谱范围内一样。平 带噪声源产生散粒噪声（或叫肖特基噪声）和热噪声（也称约翰 逊噪声，为的是纪念物理学家 John Bertrand Johnson 于 19 28 年发现了这一现象）。虽然这两种噪声的频谱是难以区分的， 但作为电路工作条件的函数，散粒噪声源和约翰逊噪声源的行为 则是不同的。 散粒噪声无处不在 散粒噪声是由电子通过一个势垒的离散量子性质产生的。它 通常与二极管和双极晶体管有关。电流可以按直流电大小给定的 稳定平均速率通过一个 PN 结，但各个载流子只有当它们具有足 够能量来克服 PN 结势垒时，才能作为随机事件穿过 PN 结（参 考文献 2 ）。在极限情况下，电流被量子化为电子能级，所以平 均电流就包含大量的离散事件。 散粒噪声计算公式如下： 其单位是安培均方根值，式中 q 为电子电荷(1.6 ×10-19 C)，ID 为正向结电流， Δf 是测量带宽（图 1 ）。从式中可以 看出，散粒噪声与结电流的平方根成正比，而与温度无关。这两 点值得注意。增加偏置电流可能意味着绝对项中的散粒噪声会更 高，但电路可以利用与偏置电流线性增长的关系——比噪声增加 快得多——低噪声设计中的永恒命题。例如，双极晶体管的小信 号互导 gm 是与集电极电流呈线性关系： 式中 IC 为集电极电流，k 为波尔兹曼常数(1.38 ×10-23J/ K)，T 是绝对温度。