金属材料强度2.4.pptVIP

* 2.4.1 概述 塑性形变是位错（微观缺陷）运动的结果，说明实际晶体在远低于理想晶体的屈服强度的应力下，发生塑性形变。 断裂力学说明材料的断裂是裂纹（宏观缺陷）扩展的结果。实际晶体在远低于理论强度的应力下，发生断裂。 两者有相似之处、差异、和相关点。 断裂与塑性形变的比较 2.4 无机材料的断裂过程 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 张应力作用下的裂纹扩展和切应力下的位错运动 相同点： 裂纹和位错的前端都将晶体划分为已断裂（滑移）和未发生变化的两部分。 裂纹扩展和位错运动都使原子键连续破坏。 不同点：裂纹扩展使原子键永久性的撕开，位错运动之后，断开的原子键随即重新愈合。 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? 结构不连续区域的特点： ? 材料中任何结构不连续性都会使局部能量处于高能量状态，即应力状态； ? 外力作用下，能量高的不连续区域首先发生运动，在能量较低的不连续区域使其能量降低； ? 结构不连续区域在可能情况下总是降低其能量； ? 不连续区域在运动过程中，遇到势垒，会发生塞积，引起高度的应力集中，此应力又会激活其他结构不连续区域。 2.4.2 裂纹成核 结构不连续区域都会使裂纹成核。 制备过程、机械加工引入，热应力引起，可能有位错机理的裂纹成核。 无 可 小 于 五 个 Al2O3 TiO2 MgO MgO CaF2 LiF NaCl CsCl 半 脆 性 制备过程、机械加工引入，热应力引起，不可能有位错机理的裂纹成核。 无 无 无 Si3N4 TiC Al2O3 TiO2 SiO2 全 脆 性 灵活性 可动性 高温 室温 裂纹成核途径 位错可移动性 滑移系个数 材料类别 脆性 程度 无机材料的脆性和裂纹成核途径 位错滑移最终导致塑性形变。 空洞合并导致裂纹成核。 可 可 五个 CaF2 LiF NaCl CsCl AgBr AgCl 塑 性 表面层缺陷 粗晶 分层 大气孔 夹杂物 粗晶 夹杂物 加工缺陷 非均质粗晶 不完善结合区 气相沉积 无压烧结 热压 各种制备工艺引入的缺陷类型 接上表 （1） 亚临界裂纹扩展 在受到低于临界应力的作用状态下，脆性材料的裂纹扩展取决于温度、应力和环境介质。材料处于稳态。 2.4.3 亚临界裂纹扩展（静态疲劳） （2） 亚临界裂纹扩展速率与应力强度因子的关系 其典型关系式：V=AK1n 特点： ? 几乎所有材料都有一个不发生亚临界裂纹扩展的应力强度因子低限值K0。 ? 超过低限值，V与K1n总是呈正比，其中，n是与机理相关的常数。 ? 恒速裂纹扩展区。 ? 快速裂纹扩展区。 裂纹扩展速率曲线 LogV I II III K0 1）环境介质的作用 (应力腐蚀）引起裂纹的扩展 玻璃在含有OH-介质中的亚临界裂纹扩展机理: OH-对裂纹的强化作用有： ? 吸附导致键强的下降； ? 应力加速了裂纹尖端玻璃的溶解； ? 离子互换导致裂纹尖端张应力的增长。 （3） 亚临界裂纹扩展机理 例如：在含水气不同 的N2气氛中，玻璃Na2O－CaO－SiO2的亚临界裂纹扩展。 ? 裂纹生长的主要原因是应力促进了水与玻璃的化学反应，生长速率受反应速率所控制。 ? 裂纹生长速率几乎与应力无关，此时裂纹生长速率取决于OH-离子向裂纹尖端迁移的速率。 ? 裂纹生长的速率又随K1的增大而呈指数的增长，与水气含量无关，裂纹生长受到玻璃的化学组分和结构的控制。 K1（Nm-3/2×105) V （ms-1） III I II 水气含量 K1 V 钠钙玻璃 硼硅玻璃 硅玻璃 铝硅玻璃 化学组成和结构对 玻璃区域III亚临界裂纹扩展的影响 V （ms-1） K1（Nm-3/2×105) SiC界面的氧化作用引起裂纹扩展过程： 空气中的氧气在裂纹尖端与SiC发生如下反应: 2SiC+3O2=2SiO2+2CO? 过程包括： ? 氧离子通过氧化层传递至裂纹尖端； ? 氧离子的吸附，SiC?SiO2的反应；