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多晶硅化学制备方法的 比较分析 ■ 文 ／刘小锋 王 岭 四川新光硅业科技责任有限公司 多晶硅生产方法分化学法和物理 过化学反应转化为硅化合物，再经过 先 ，氯化氢 (Hc1)与硅 (Si)粉在一定 法(又称 “冶金法”)23类，化学法应用 精馏提纯得到高纯硅化合物，高纯硅 的温度、压力条件下反应生成三氯氢 化学原理对硅进行提纯，物理法通过 化合物经过化学反应生成多晶硅。其 硅 (SillCl3)；然后，对SillC1进行精 冶金原理对硅进行提纯。物理法制备 中，工业硅是从含硅矿物中提取的，高 馏提纯，提纯得到的高纯SillC13在高 的多晶硅产品纯度有限，一般在4N～ 纯硅化合物一般通过化学气相沉积的 温条件下通过化学气相沉积反应在硅 6N左右，根据市场应用情况来看，太 方式生成棒状多晶硅或粒状多晶硅。 芯载体上生成棒状多晶硅 ；还原反应 阳能级多晶硅纯度需达到6N～7N， 目前，已经工业化的多晶硅化学 的气体产物以及未充分反应的原料气 而电子级多晶硅的纯度以9N以上为 制备方法主要包括改 良西门子法、硅 体通至尾气回收系统，在尾气回收系 宜。因此，物理法制备的多晶硅不能用 烷法和流化床法，其他化学方法很少 统 中，对尾气 中的各种主要成分进行 于半导体材料，用于太阳能电池也尚 有工业化生产的实例，本文主要对 已 分离，并循环利用。 处于探索、试产阶段，暂时还不具备进 经工业化的这3种化学方法进行比较 改良西门子法的主要 目标化学反 行大规模工业化生产的能力。而化学 分析。 应如下 ： 法生产多晶硅 的工艺相对 比较成熟， SillC1合成反应 ： 产品纯度高(可达到9N～12N)，不仅 一 、 多晶硅化学制备方法介绍 Si+3HCI~SiHC1+H，(280～320oC) 能够满足太阳能电池的使用，也能满 1．改良西门子法 还原反应 ： 足半导体材料的使用。 改良西门子法制备多晶硅的主工 SiHCI3+H2—si+3HC1(1050～1IO0~C) 化学法制备多晶硅一般先将工业 艺过程包括合成、精馏、还原、干法尾 热氢化反应 ： 硅 (冶金级硅，纯度 97％～99．9％)通 气回收等工序 ，其工艺流程见图1。首 SiCh+H2一 SiHC13+HCI(约1200~) 新和料产业 NO．62011l豳 l 蜀圜 lFRONTIER Si粉 图1 改良西门子法工艺流程简图 冷氢化反应 ： 在此后的几十年里，西门子法在 硅烷歧化法、氯硅烷歧化法等。氯硅烷 3SiCI4+Si+2H2—4SiHC13(500~C) 生产应用的过程中经历 了很多改进， 歧化法是用SiCl、H、Si粉在流化床内 改 良西 门子法的发展过程大致 不断发展完善。西门子法发展到现阶 反应制取SillCl，SiHC13歧化生成二 如下 ： 段 ，已经非常成熟，现阶段广泛使用的 氯二氢硅(Sitt2Cl2)，Sill2C12歧化生成