干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征.pdfVIP

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 ２８ １２ 犞狅犾．２８ 犖狅．１２ 　 　 　 　 　 　 年 月 ， ２００７ １２ 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犇犲犮．２００７ 干法氧化制备犛犻犌犲弛豫缓冲层及其表征  蔡坤煌 张 永 李 成 赖虹凯 陈松岩 　 　 　 　 　 　 （厦门大学物理系 半导体光子学研究中心，厦门 ３６１００５） 　 摘要： 弛豫缓冲层是高性能 基光电子与微电子器件集成的理想平台 通过 干法氧化组分均匀的应 犛犻犌犲 犛犻 ． １０００℃ 变 层，在 衬底上制备了表面 组分大于 ，弛豫度大于 ，位错密度小于 ５ －２的 犛犻 犌犲 犛犻 犌犲 ０３ ９５％ １２×１０犮犿 犌犲 ０８８ ０．１２ 组分渐变 弛豫缓冲层 通过对不同氧化时间的样品的表征，分析了氧化过程中 应变弛豫的主要机制 犛犻犌犲 ． 犛犻犌犲 ． 关键词：氧化；锗硅弛豫缓冲层；位错 ： ； ； 犘犃犆犆 ８１６０ ７３６０犉 ３３２０犉 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） 犜犖３０４ 犃 ０２５３４１７７２００７１２１９３７０４ 　　　 　　　 豫缓冲层的方法，以降低成本和方便后续的器件制 １ 引言 作工艺． 　 氧化组分均匀的应变 层，由于 和 的 犛犻犌犲 犛犻 犌犲 硅基 异质结构因其优良的物理性质，与成 活性不同， 被选择性地氧化形成 ，而 犛犻犌犲 犛犻犌犲 犛犻犗２ 犌犲 ［，］ ６７ 熟的硅工艺相兼容，成为制备高性能硅基微电子与 析出后聚集在 界面形成富 的 层 ，